[发明专利]用于生成可调带隙参考电压的方法和设备

权利要求书

1.一种用于生成可调带隙参考电压的方法，包括：生成与绝对温度成正比的电流(Iptat)，包括均衡在芯(CR)的端子(BE1，BE2)两端的电压，所述芯(CR)被设计成然后由所述与绝对温度成正比的电流穿越；生成与绝对温度成反比的电流(Ictat)；将这两个电流求和；以及基于所述电流之和生成所述带隙参考电压(VBG)，其特征在于，所述均衡包括：在所述芯(CR)的所述端子两端连接第一反馈放大器(AMP1)，所述第一反馈放大器拥有至少一个第一级(ET1)，所述第一级布置为折叠设置并且包括根据共同栅极设置而布置的第一PMOS晶体管；以及基于所述与绝对温度成反比的电流(Ictat)偏置所述第一级，所述两个电流的所述求和在所述第一放大器的反馈级(ETR)中执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过使用第二反馈放大器(AMP2)来生成所述与绝对温度成反比的电流(Ictat)，所述第二反馈放大器拥有至少一个第一级(ET10)，所述第一级具有与所述第一放大器的所述第一级(ET10)共同的部分，并且所述第二放大器的所述第一级也基于所述与绝对温度成反比的电流来偏置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中用所述与绝对温度成反比的电流或者用这一与绝对温度成反比的电流的一部分偏置所述第一放大器的所述第一级(ET1)和所述第二放大器的所述第一级(ET10)。

4.一种用于生成可调带隙参考电压的设备，包括：第一装置，用于生成与绝对温度成正比的电流，包括第一处理装置，所述第一处理装置连接到芯(CR)的端子并且设计成均衡在所述芯的所述端子两端的电压；第二装置，用于生成与绝对温度成反比的电流(Ictat)，连接到所述芯；以及输出模块(MDS)，设计成生成所述参考电压(VBG)，其特征在于，所述第一处理装置包括第一放大器(AMP1)和反馈级(ETR)，所述第一放大器拥有至少一个第一级(ET1)，所述第一级基于所述与绝对温度成反比的电流来偏置、根据折叠设置来布置并且包括根据共同栅极设置而布置的第一PMOS晶体管(M3，M4)，所述反馈级的输入连接到所述放大器的输出而所述反馈级的输出连接到所述第一级的输入以及所述芯的至少一个端子(BE1，BE2)，所述反馈级将由中间电流穿越，所述中间电流等于所述与绝对温度成正比的电流(Iptat)与所述与绝对温度成反比的电流(Ictat)之和，并且所述输出模块(MDS)连接到所述反馈级。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一放大器(AMP1)为差动输入单输出放大器，并且所述反馈级(ETR)为单输入差动输出反馈级。

6.根据权利要求4或者5所述的设备，其中所述第二生成装置包括连接到所述芯的端子(BE2)的跟随放大器设置(AMP2，M9)。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述跟随放大器设置包括第二放大器(AMP2)和反馈晶体管(M9)，所述第二放大器拥有至少一个第一级(ET10)，所述第一级也基于所述与绝对温度成反比的电流来偏置、包括根据共同栅极设置而布置的第二PMOS晶体管(M4，M5)，所述第二放大器的所述第一级(ET10)具有与所述第一放大器的所述第一级(ET1)共同的部分，所述反馈晶体管连接于所述第二放大器(AMP2)的输出与所述第二放大器的输入之间。

8.根据权利要求7所述的设备，其中偏置回路(BPL)连接于所述第二生成装置与所述第一放大器(AMP1)和所述第二放大器(AMP2)的相应第一级(ET1，ET10)之间并且设计成基于所述与绝对温度成反比的电流(Ictat)偏置这些第一级(ET1，ET10)中的每级。