[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210161685.9 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN103427039A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;钟铁涛;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平;生启 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层,发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时,发光层就产生光辐射。
有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后,会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效,从而所述有机电致发光器件的寿命较短。
发明内容
基于此,有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的具有阳极图案的导电基底、发光层、阴极、封装膜、保护膜及封装盖,封装膜的材料为钛菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌,保护膜包括缓冲层及层叠于缓冲层上的阻挡层,所述缓冲层的材料为CNx:H,其中,1≤x≤4,所述阻挡层的材料为SiO2、SiN、Si3N4、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO或HfO2;封装盖将发光层、阴极、封装膜及保护膜封装于导电基底上,封装盖的材料为PET镀铝膜。
在其中一个实施例中,所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔,所述发光层、阴极、封装膜及保护膜均收容于所述收容腔。
在其中一个实施例中,所述缓冲层及所述阻挡层均为3层~6层,所述缓冲层与所述阻挡层交替叠加。
在其中一个实施例中,所述封装盖的边缘通过封装胶与所述导电基板密封连接。
在其中一个实施例中,所述阴极包括两层介质层及设于所述两层介质层之间的金属层,所述介质层的材料为硫化锌、氧化铟锡或氧化锌铝,所述金属层的材料为银。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、在导电基底上形成发光层;
步骤二、在所述发光层上形成阴极;
步骤三、在所述阴极上形成封装膜,所述封装膜的材料为钛菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌;
步骤四、所述保护膜包括缓冲层及层叠于所述缓冲层上的阻挡层,所述缓冲层的材料为CNx:H,其中,1≤x≤4,所述阻挡层的材料为SiO2、SiN、Si3N4、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO或HfO2;及
步骤五、使用封装盖将将所述发光层、阴极、封装膜及保护膜封装于所述导电基底上,所述封装盖的材料为PET镀铝膜。
在其中一个实施例中,步骤五中,通过涂布封装胶使所述封装盖与所述导电基底密封连接。
在其中一个实施例中,所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔,所述发光层、阴极、封装膜及保护膜收容于所述收容腔。
在其中一个实施例中,所述缓冲层及所述阻挡层均为3层~6层,所述缓冲层与所述阻挡层交替叠加。
在其中一个实施例中,所述缓冲层采用等离子增强化学气相沉积方法由甲烷和氮气制备,所述甲烷的流量为10sccm~20sccm,所述氮气的流量为10sccm~20sccm。
上述有机电致发光器件及其制备方法,封装膜及保护膜可以有效的减少外部水、氧等活性物质对发光层及阴极的侵蚀,其中采用CNx:H作为缓冲层,能在起到阻隔水气的同时有效的释放应力,起到缓冲作用,阻挡层可以有效的阻挡水气的腐蚀;封装盖采用PET镀铝膜柔性较好且可有效的提高防水氧能力,从而有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图;
图3为实施例1~实施例9制备有机电致发光器件的寿命曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的导电基底10、功能层20、阴极30、封装膜40、保护膜50及封装盖70。
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