[发明专利]用于光半导体装置的环氧树脂组合物和使用所述组合物的光半导体装置有效
申请号: | 201210161770.5 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102796347A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 内田贵大;野吕弘司 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L83/06;C08K5/053;C08G59/42;H01L33/56 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 装置 环氧树脂 组合 使用 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于光半导体装置的环氧树脂组合物和使用所述组合物的光半导体装置,所述组合物具有优异的透光率和对短波长(例如350至500nm)的耐光性。
背景技术
作为在光半导体元件如发光二极管(LED)的封装中使用的封装用树脂组合物,要求所述组合物的固化材料具有透明性。通常,广泛使用利用环氧树脂如双酚A环氧树脂或脂环族环氧树脂和作为固化剂的酸酐而获得的环氧树脂组合物。
在将环氧树脂组合物用作光半导体元件的封装材料的情况下,随着发射波长缩短(例如350至500nm),在由封装获得的光半导体装置中尚未获得充分的耐光性。
因此,为了实现耐光性的提高,提出了使用特定聚硅氧烷树脂的用于光半导体元件封装的环氧树脂组合物(参见专利文献1)。
专利文献1:日本特开2006-274249号公报
发明内容
然而,尽管使用所述特定聚硅氧烷树脂的环氧树脂组合物在普通环境气氛下能够实现耐光性的一定程度的改善,但是在苛刻的条件如加湿条件下观察到耐光性下降。因此,强烈要求即使在更苛刻的条件下也应该赋予优异的耐光性。
考虑到这种情况而设计了本发明,并且其目的是提供一种用于光半导体装置的环氧树脂组合物和使用所述组合物的光半导体装置,所述组合物当然具有良好的透光率,并且还具有优异的耐光性。
即,本发明涉及如下项(1)至(5):
(1)一种用于光半导体装置的环氧树脂组合物,其包含如下成分(A)至(E):
(A)环氧树脂;
(B)酸酐固化剂;
(C)固化促进剂;
(D)聚硅氧烷树脂,其中构成所述聚硅氧烷树脂的硅氧烷单元由如下通式(1)表示,所述聚硅氧烷树脂在其一个分子中具有至少一个键合到硅原子的羟基或烷氧基,并且在键合到硅原子的一价烃基(R)中的10%以上为取代或未取代的芳族烃基;
Rm(OR1)nSiO(4-m-n)/2…(1)
其中R为具有1至18个碳原子的取代或未取代的饱和一价烃基或者为芳族烃基,并可彼此相同或不同;R1为氢原子或具有1至6个碳原子的烷基,并可彼此相同或不同;并且m和n各自为0至3的整数;和
(E)由如下通式(2)表示的醇化合物:
其中X为单键或具有1至22个碳原子的二价烃基。
(2)根据项(1)所述的用于光半导体装置的环氧树脂组合物,其中所述构成聚硅氧烷树脂的硅氧烷单元为由如下通式(d1)至(d4)表示的单元D1至D4,并且以如下比例(α)至(δ)设定单元D1至D4的构成比例:
单元D1:(R)3SiO1/2…(d1);
单元D2:(R)2(OR1)nSiO(2-n)/2…(d2)
其中n为0或1;
单元D3:(R)(OR1)nSiO(3-n)/2…(d3)
其中n为0、1或2;和
单元D4:(OR1)nSiO(4-n)/2…(d4)
其中n为0或1至3的整数;
其中R为具有1至18个碳原子的取代或未取代的饱和一价烃基或者为芳族烃基,并可彼此相同或不同,且R1为氢原子或具有1至6个碳原子的烷基,并可彼此相同或不同;
(α)单元D1占0至30摩尔%;
(β)单元D2占0至80摩尔%;
(γ)单元D3占20至100摩尔%;且
(δ)单元D4占0至30摩尔%。
(3)根据项(1)或(2)所述的用于光半导体装置的环氧树脂组合物,其中作为成分(E)的所述醇化合物为选自新戊醇、1,3-丙二醇、二异丁基丙二醇、2-丙基-1,3-丙二醇和2-(4-乙基环己基)丙-1,2-二醇中的至少一种化合物。
(4)一种光半导体装置,其通过用项(1)至(3)中任一项所述的用于光半导体装置的环氧树脂组合物封装光半导体元件而获得。
(5)一种光半导体装置,其包含:
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