[发明专利]一种利用钛残靶制备高纯钛粉的方法有效

专利信息
申请号: 201210161850.0 申请日: 2012-05-22
公开(公告)号: CN103418798A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料有限公司
主分类号: B22F9/16 分类号: B22F9/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 315400 浙江省宁波市余姚*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 钛残靶 制备 高纯 方法
【权利要求书】:

1.一种利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,包括以下步骤:

切割步骤,切割钛残靶成钛样块;

酸洗步骤,酸洗所述钛样块;

氢化步骤,氢化所述钛样块形成氢化钛样块;

成粉步骤,破碎所述氢化钛样块成氢化钛粉;

脱氢步骤,加热去除所述氢化钛粉内的氢,得到高纯钛粉。

2.如权利要求1所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述切割步骤前,将钛残靶和背板分离。

3.如权利要求2所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述将钛残靶和背板分离系采用脱焊或者车削的方法分离。

4.如权利要求1所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述切割步骤中,将钛残靶切割成厚度小于等于15mm的钛样块。

5.如权利要求1所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述酸洗步骤中,先采用稀盐酸进行酸洗,再用去离子水冲洗干净后进行干燥。

6.如权利要求1所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述氢化步骤中,将所述钛样块均匀放置于氢化炉内,放置时各所述钛样块之间保持空隙。

7.如权利要求1所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述氢化步骤中,在氢气气氛条件下逐步升高温度,实现所述钛样块与所述氢气的反应。

8.如权利要求1或7所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述氢化步骤中,氢化温度在350~680℃范围,氢化时间为1~30小时。

9.如权利要求1或7所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,所述脱氢步骤中,所述氢化钛粉在真空条件和500~800℃的高温条件下进行分解反应,生成所述高纯钛粉。

10.如权利要求9所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,将所述高纯钛粉在氩气保护环境中进一步进行破碎过筛,以达到所需的粒度和形状。

11.如权利要求1所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,在所述氢化步骤和脱氢步骤中,利用降氧剂吸收原料和设备中的杂质气体。

12.如权利要求1或11所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,在制备高纯钛粉过程中实行全程空气湿度的控制使得相对湿度低于40%。

13.如权利要求11所述的利用钛残靶制备高纯钛粉的方法,其特征在于,在氢化步骤和脱氢步骤中采用不同的降氧剂,且脱氢步骤中降氧剂比氢化步骤中降氧剂活泼。

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