[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一栅极；

在该栅极上形成一绝缘层；

在该绝缘层上形成一通道层；

在该通道层上形成一第一材料层，该第一材料层包括一含氧的绝缘材料；

在该第一材料层上形成一第二材料层，该第二材料层包括一金属材料；

在该第二材料层以及该第一材料层中形成多个接触窗开口，以暴露出该通道层；以及

在该第二材料层上形成一源极以及一漏极，该源极以及该漏极通过这些接触窗开口而与该通道层接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中在形成该第一材料层之后，还包括进行一含氧处理程序，以增加该第一材料层表面的含氧量。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该含氧处理程序包括N₂O回火处理程序、O₂回火程序、O₂等离子处理程序或N₂O等离子处理程序。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中在形成这些接触窗开口之后，还包括进行一回火程序，以使该第一材料层以及该第二材料层的界面产生一氧化反应。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中在该氧化反应之后，该第一材料层以及该第二材料层之间形成一金属氧化薄层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该金属氧化薄层的厚度为50至

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中形成该源极以及该漏极的方法包括：

在该第二材料层上形成一导电层，且该导电层填入这些接触窗开口中；

在该导电层上形成一光阻层；以及

利用该光阻层作为蚀刻光罩以对该导电层进行一蚀刻程序以形成该源极以及该漏极，其中该蚀刻程序同时移除未被该光阻层覆盖的该第二材料层，且该蚀刻程序终止于该金属氧化薄层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该蚀刻程序包括使用一铝酸蚀刻溶液、一草酸蚀刻溶液或一铜酸蚀刻溶液。

9.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该回火程序包括一无氧回火程序。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该回火程序包括氮气回火程序、化学气相沉积真空加热处理程序、N₂O加热处理程序或真空回火程序。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该第一材料层包括氧化硅或氧化氮硅。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中该第二材料层包括铝、钛、铪、锆、钽、铬或铜。

13.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一栅极；

一绝缘层，覆盖该栅极；

一通道层，位于该栅极上方；

一源极以及一漏极，位于该通道层的上方；

一材料迭层，夹于该通道层以及该源极之间以及该通道层以及该漏极之间，其中该材料迭层包括彼此堆迭的一含氧的绝缘材料以及一金属材料；以及

一材料层，覆盖位于该源极以及该漏极之间的该通道层，其中该材料层包括该含氧的绝缘材料，

其中该材料迭层以及该材料层之间具有多个接触窗开口，该源极以及该漏极透过这些接触窗开口而与该通道层接触。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该源极以及该漏极分别包括由下往上堆迭的一第一金属层、一第二金属层以及一第三金属层，且该第一金属层与该材料迭层的该金属材料接触。

15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括一金属氧化薄层，位于该材料层的表面以及该材料迭层的该含氧的绝缘材料以及该金属材料之间。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该金属氧化薄层的厚度为50至

17.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该通道层包括金属氧化物半导体材料。