[发明专利]基板的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板的处理方法，且特别是涉及一种避免基板表面受到电荷炸开现象的破坏的基板的处理方法。

背景技术

近年来由于半导体元件的结构不断地改变，半导体元件的制作工艺步骤因应增加，容易使得半导体元件的制作工艺良率降低。特别是当基板或元件表面具有缺陷(defect)时，容易造成后续制作工艺的良率下降。

因此，设计者们无不致力于在半导体制作工艺中降低半导体基板或半导体元件表面的缺陷，以提升半导体制作工艺的合格率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基板的处理方法，其中使用二流体水雾清洗基板之后，接着使用去离子水淋洗基板，可以有效移除基板表面的电荷以避免引发电荷炸开现象。

为达上述目的，根据本发明的一方面，提出一种基板的处理方法。处理方法包括提供一基板、对基板进行一元件形成步骤、以及清洗基板。清洗基板的步骤包括使用一二流体水雾清洗基板、以及在使用二流体水雾清洗基板后使用一去离子水淋洗基板。

根据本发明的另一方面，提出一种基板的处理方法。处理方法包括提供一基板、对基板进行一元件形成步骤、使用一二流体水雾清洗基板、以及在使用二流体水雾清洗基板后使用一化学溶液清洗基板。

根据本发明的再一方面，提出一种基板的处理方法。处理方法包括提供一基板、使用一二流体水雾清洗基板、以及在使用二流体水雾清洗基板后使用一去离子水淋洗基板。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A~图1C为本发明一实施例的基板的处理方法示意图；

图2为本发明一实施例的电荷自基板导离的示意图。

主要元件符号说明

100：基板

100a：表面

200：二流体水雾喷嘴

300：转盘

400：液体排放装置

AS：二流体水雾

e：电荷

H1、H2：高度

R1：电荷移动方向

R2：电荷导离方向

W1、W2：水层

具体实施方式

本发明实施例中，使用二流体水雾清洗基板之后，接着使用去离子水淋洗基板，可以有效移除基板表面的电荷以避免引发电荷炸开现象。以下是参照所附附图详细叙述本发明的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制，因此并非作为限缩本发明保护范围之用。

请参照图1A~图1C。图1A~图1C绘示本发明一实施例的基板的处理方法示意图。

请参照图1A，提供基板100。

实施例中，可选择性地对基板100进行元件形成步骤(device forming process)。实施例中，元件形成步骤例如是离子植入(ion implantation)制作工艺、蚀刻制作工艺、形成材料层、光刻(lithography)制作工艺、以及剥离(stripping)制作工艺的至少其中之一。实施例中，离子植入制作工艺例如：涂布光致抗蚀剂层(未绘示)于基板上，植入离子(未绘示)于基板表面上，以及移除光致抗蚀剂层。蚀刻制作工艺例如是等离子体蚀刻制作工艺，剥离制作工艺例如是用氧等离子体剥离光致抗蚀剂。

请参照图1B，使用二流体水雾AS(atomic spray)清洗基板100。一实施例中，例如是以二流体水雾喷嘴200提供二流体水雾AS以清洗基板100。

一实施例中，二流体水雾AS包括水及氮气。实施例中，二流体水雾AS例如由水及氮气所组成。以二流体水雾AS清洗基板100时，水具有的流量例如是15-300立方厘米/分钟(sccm)，氮气具有的流量例如是大于0至100公升/分钟(lpm)。