[发明专利]沟槽型功率器件的形成方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，包括外围区和器件区；

在半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层在器件区具有沟槽图案；

以掩膜层为掩膜，刻蚀器件区半导体衬底，形成沟槽；

去除掩膜层后，于沟槽内填充满多晶硅层；

在半导体衬底、多晶硅层上形成场板层；

刻蚀去除器件区的场板层，且使外围区场板层呈分立排列。

2.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述于沟槽内填充满多晶硅层后，还包括步骤：在器件区进行离子注入工艺，形成源区和漏区。

3.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，刻蚀场板层后，还包括步骤：在器件区进行离子注入工艺，形成源区和漏区。

4.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层厚度为2000埃~4000埃。

5.根据权利要求4所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮化硼、氮化钛或氮化钽。

6.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层厚度为10000埃~30000埃。

7.根据权利要求6所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。

8.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述场板层的厚度为5000埃~9000埃。

9.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述场板层的形成工艺为沉积工艺。

10.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述场板层的材料为氧化物或金属。

11.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内填充满多晶硅层前还包括步骤：在所述半导体衬底表面形成栅氧层，且所述栅氧层位于沟槽底部和侧壁。

12.根据权利要求11所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述栅氧层的厚度为200埃~1000埃。

13.根据权利要求11所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述栅氧层的形成工艺为热氧化生长。

14.根据权利要求13所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述热氧化生长的温度为800℃~1100℃。

15.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，在半导体衬底、多晶硅层上形成场板层之前还包括步骤：在所述半导体衬底、多晶硅层上形成刻蚀停止层。

16.根据权利要求15所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为400埃~600埃。

17.根据权利要求15所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的形成工艺为沉积工艺。

18.根据权利要求15所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化物或氮氧化物。

19.根据权利要求15所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，在形成刻蚀停止层之前还包括步骤：在所述半导体衬底的外围区形成所述绝缘环。

20.根据权利要求1所述沟槽型功率器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀去除器件区的场板层，且使外围区场板层呈分立排列之后还包括步骤：以分立场板层为掩膜，向外围区进行离子注入形成绝缘环。