[发明专利]一种设施下种植切花菊的土壤的改良方法

说明书

技术领域

本发明涉及到切花菊的种植技术领域，尤其涉及到设施下种植切花菊的土壤的改良方法。

背景技术

目前，国内绝大部分产地都利用设施来生产切花菊，为了追求利益的最大化，常采用提高复种指数、大量投入化肥、农药等化学物品来充分发挥设施下土壤的潜力。

上述设施下种植切花菊土壤存在的缺点是：一段时间后，由于设施内土壤的重复使用及得不到外界雨水的有效淋溶；又由于设施内温度较高，土壤内的盐份会随着土壤中水分的蒸发向上移动，在表层30cm以上的地方大量堆积，直接影响到切花菊的正常生长，表现症状为切花菊根系发育不良，生长弱小，品质下降，甚至会死亡，严重影响了种植企业的经济效益。

发明内容

　　本发明的目的是提供一种能降低土壤盐份含量、从而提高切花菊生长品质的一种设施下种植切花菊的土壤的改良方法。

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案。

一种设施下种植切花菊的土壤的改良方法，包括以下步骤：⑴铺秸秆：将稻草秸秆切成3～5cm长的小段，平铺在设施内土壤上面，厚度为6～8cm；⑵翻地：用旋耕机进行翻地，旋耕深度为28～32cm，使稻草秸秆同表层土壤混合均匀；⑶灌水：向设施内土壤灌水，使水面高出土壤表层3～4cm，保持这种状态28～32天；⑷凉干：放掉水待土壤自然凉干后即可使用。

本发明的有益效果：能够有效降低设施下种植切花菊的土壤中盐份的含量，切花菊种植在处理后的土壤中，根系发育良好，生长整齐一致，生长势强，品质得到有效提高。

具体实施方式

下面结合优选实施例对本发明所述的一种设施下种植切花菊的土壤的改良方法作进一步的说明。

一种设施下种植切花菊的土壤的改良方法，其特点是：包括以下步骤：⑴铺秸秆：将稻草秸秆切成3～5cm长的小段，平铺在设施内土壤上面，厚度为6～8cm；⑵翻地：用旋耕机进行翻地，旋耕深度为28～32cm，使稻草秸秆同表层土壤混合均匀；⑶灌水：向设施内土壤灌水，使水面高出土壤表层3～4cm，保持这种状态28～32天；⑷凉干：放掉水待土壤自然凉干后即可使用。

本发明所述的一种设施下种植切花菊的土壤的改良方法，能够降低设施下种植切花菊的土壤的盐份含量，切花菊种植在处理后的土壤中，根系发育良好，生长整齐一致，生长势强，品质得到有效提高。