[发明专利]多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法和多晶硅锭的铸造方法无效
| 申请号： | 201210163672.5 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103225105A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 矶村敬一郎;山崎宽司;齐藤刚 | 申请（专利权）人： | 日本精细陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/04;F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;孟桂超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 铸造 铸模 及其 制造 方法 | ||
1.一种以二氧化硅为主体主材质的多晶硅锭铸造用铸模，其特征在于，
所述多晶硅锭铸造用铸模通过在与熔融的多晶硅接触侧的铸模主体表面，涂覆含有氮化硅的浆体并进行烧结，从而具有气孔率范围为20％～30％、厚度为0.5mm以上的覆膜层。
2.根据权利要求1所述的多晶硅锭铸造用铸模，其特征在于，所述氮化硅的纯度范围为99％～99.99％。
3.根据权利要求1所述的多晶硅锭铸造用铸模，其特征在于，所述二氧化硅的纯度范围为70％～99％。
4.一种以二氧化硅为主体主材质的多晶硅锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，包括：
在与熔融的多晶硅接触侧的铸模主体表面，涂覆含有氮化硅的浆体的工序；
对涂覆所述浆体后的铸模主体进行烧结，形成气孔率范围为20％-30％、厚度为0.5mm以上的覆膜层的工序；
5.根据权利要求4所述的多晶硅锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，所述氮化硅的纯度范围为99％～99.99％。
6.根据权利要求4所述的多晶硅锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅的纯度范围为70％～99％。
7.一种多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，
使用以二氧化硅为主体主材质的多晶硅锭铸造用铸模，所述多晶硅锭铸造用铸模通过在与熔融的多晶硅接触侧的铸模主体表面涂覆含有氮化硅的浆体并进行烧结，从而具有气孔率范围为20％～30％、厚度为0.5mm以上的覆膜层；
所述多晶硅锭的铸造方法包括：
在所述多晶硅锭铸造用铸模的内部，使破碎状的多晶硅熔融凝固而形成多晶硅锭的工序；
将形成的所述多晶硅锭从所述多晶硅锭铸造用铸模中取出的工序。
8.根据权利要求7所述的多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，所述氮化硅的纯度范围为99％～99.99％。
9.根据权利要求7所述的多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，所述二氧化硅的纯度范围为70％～99％。
10.根据权利要求7所述的多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，所述多晶硅锭中的含碳量和含氧量分别为2ppm及11ppm以下。
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