[发明专利]一种耗尽管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210164447.3 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426762A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尽管 及其 制作方法 | ||
1.一种耗尽管的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层，且进行阈值电压注入后，用湿法剥除掉所述牺牲氧化层；
在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子之前，还包括：
在所述栅氧和所述场氧的表面生长多晶硅。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述栅氧和所述场氧的表面生长多晶硅之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子之前，还包括：
向源区和漏区进行离子注入。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述向源区和漏区进行离子注入之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子之前，还包括：
对掺杂之后的源区和漏区进行退火处理。
5.如权利要求1~4任一所述的方法，其特征在于，在向耗尽层注入离子之后还包括：
在耗尽管的外围器件区域进行介电层沉积。
6.如权利要求1~4任一所述的方法，其特征在于，耗尽离子注入的注入能量在300KEV~330KEV之间。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，耗尽离子注入的注入能量是315KEV。
8.一种耗尽管，其特征在于，由权利要求1~4任一所述的方法制作而成。
9.如权利要求8所述的耗尽管，其特征在于，所述耗尽管的场氧厚度在3800埃A以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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