[发明专利]一种多标准、多频段低噪声放大器

权利要求书

1.一种多标准、多频段低噪声放大器，其包括信号输入电路、输入阻抗匹配网络、放大电路、输出阻抗匹配网络和偏置网络；其特征在于：所述信号输入电路与输入阻抗匹配网络连接，用于提供13.56MHz、433MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz五个频段的输入信号；所述输入阻抗匹配网络用于接收来自信号源的信号并匹配所述五个频段每一个频段下各自的输入阻抗，以及选择性放大所述信号；所述放大电路连接于所述输入阻抗匹配网络与所述输出阻抗匹配网络之间，用于放大所述输入阻抗匹配网络接收的信号；所述输出阻抗匹配网络连接于所述放大电路和输出端之间以匹配所述五个频段每一个频段下各自的输出阻抗，并输出最终的输出信号；所述偏置网络连接于信号源和所述放大电路之间，用于偏置放大电路以确定放大电路的工作点；

所述输入阻抗匹配网络匹配所述13.56MHz、433MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz五个频段每一个频段下各自的输入阻抗，当输入不同频率的信号时，通过控制开关选择相应频段的接入电容，以结合所述偏置网络匹配输入阻抗，并对输入信号滤波和选择性放大；

所述输出阻抗匹配网络匹配所述13.56MHz、433MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz五个频段每一个频段下各自的输出阻抗；

所述偏置网络偏置所述13.56MHz、433MHz、900MHz、2.4GHz、5.8GHz五个频段每一个频段下的放大电路，以确定所述五个频段下各自的静态工作点；结合所述的输入阻抗匹配网络，匹配五个频段每一个频段各自的输入阻抗；

所述放大电路为带源极电感负反馈共源共栅结构，包含第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4和第三电感Ls，其中Ls作为源极负反馈，M1、M2为差分输入管，M3、M4为电流源负载。

2.根据权利要求1所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述输入阻抗匹配网络由开关控制的电容阵列组成。

3.根据权利要求1所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述输出阻抗匹配网络使用LC谐振网络并联电阻组成。

4.根据权利要求1所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述控制开关使用小尺寸的MOS管，控制选择所述五个频段每一个频段下各自不同的电容通路，以选择相应频率下的阻抗电路。

5.根据权利要求4所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述电容为MOS电容。

6.根据权利要求1所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述电感为有源电感。

7.根据权利要求5所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述MOS电容为MOS管的MOS电容的栅极与连接在一起的源极、漏极、衬底形成，其电容值由MOS管的宽和长决定。

8.根据权利要求6所述的多标准、多频段低噪声放大器，其特征在于：所述有源电感采用MOS工艺实现。