[发明专利]一种半导体材料表面光电压的测量方法

权利要求书

1. 一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征在于，包含以下步骤：

（1）将需要测量的半导体样品表面进行清洁处理，去掉表面的污染物和油脂等；

（2）打开开尔文探针系统，调节系统控制参数，使其保持在稳定的工作状态；根据所测半导体材料的能带带隙，调节照射光源的发射光频率和光强；

（3）将半导体样品放置在开尔文探针下，测量样品表面电子功函数；待所测电子功函数保持稳定后，记录下所测电子功函数W₁；打开光源，使光线照射在样品表面，同时测量其电子功函数；待光照射下所测的电子功函数保持稳定后，记录下所测电子功函数W₂；关闭光源，观测所测电子功函数随时间的衰减变化，记录下电子功函数的整个变化过程；

（4）利用公式V_p = W₂ - W₁计算得出半导体材料的表面光电压。

2.如权利要求1所述的一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征在于通过测量光照射前后半导体表面电子功函数的变化，计算得出表面光电压。

3.如权利要求1所述的一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征在于能够测量各种无机、有机半导体的表面光电压，如各种晶型的硅、碳化硅、砷化镓、氧化锌等。

4.如权利要求1所述的一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征在于所测得的半导体材料表面光电压具有很高精度，最小分辨率可达0.1 meV。