[发明专利]晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、栅极、包围栅极的第一侧墙、包围所述第一侧墙的第二侧墙以及覆盖于所述栅极上的第二侧墙材料层，形成位于栅极结构之间衬底上的金属硅化物；

去除所述第二侧墙以及覆盖于所述栅极上的第二侧墙材料层；

形成填满栅极结构之间并覆盖所述栅极结构的牺牲层；

去除位于所述栅极结构上的部分牺牲层和部分第一侧墙，使剩余牺牲层、剩余第一侧墙与栅极的表面齐平；

去除位于栅极结构之间的剩余牺牲层；

在金属硅化物、剩余第一侧墙和栅极上覆盖应力层。

2.如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氧化硅或氮化硅，所述第二侧墙的材料为氮化硅。

3.如权利要求2所述晶体管的制造方法，其特征在于，在去除第二侧墙和第二侧墙材料层之前还包括：在金属硅化物上形成保护层。

4.如权利要求3所述晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅，在金属硅化物上形成保护层的步骤包括：通过含臭氧的去离子水氧化金属硅化物，以在金属硅化物表面形成氧化硅。

5.如权利要求2、3或4所述晶体管的制造方法，其特征在于，去除所述第二侧墙以及覆盖于所述栅极上的第二侧墙材料层的步骤包括：通过磷酸溶液去除第二侧墙和第二侧墙材料层。

6.如权利要求4所述晶体管的制造方法，其特征在于，臭氧的含量在20~90ppm的范围内，氧化时间为30~120s的范围内。

7.如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为有机硅氧烷，通过旋涂的方式形成所述牺牲层。

8.如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，在去除所述第二侧墙以及覆盖于所述栅极上的第二侧墙材料层之后，剩余第一侧墙在栅极上形成突出于栅极表面的凸起，所述牺牲层至少覆盖所述凸起。

9.如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，所述去除位于所述栅极结构上的部分牺牲层的步骤包括：通过干法蚀刻法去除部分牺牲层，并以栅极作为蚀刻停止层。

10.如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，所述去除位于所述栅极结构上的部分牺牲层的步骤包括：通过化学机械研磨的方法去除部分牺牲层，直至剩余牺牲层与栅极的表面齐平。

11.如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，所述去除位于栅极结构之间的剩余牺牲层的步骤包括：通过化学溶液的方法去除所述剩余牺牲层。

12.如权利要求11所述晶体管的制造方法，其特征在于，通过化学溶液的方法去除所述剩余牺牲层的步骤包括：通过在酸槽中浸泡的方式去除所述剩余牺牲层，温度位于40~60℃的范围内，反应时间为2~10分钟。

13.如权利要求11所述晶体管的制造方法，其特征在于，通过化学溶液的方法去除所述剩余牺牲层的步骤包括：通过单片旋转的方式去除所述剩余牺牲层，温度位于40~60℃的范围内，反应时间为0.5~2分钟。