[发明专利]一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺有效

专利信息
申请号: 201210165251.6 申请日: 2012-05-24
公开(公告)号: CN102709163A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 沈辉;刘超;梁齐兵 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/306
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍
地址: 510006 广东省广州市大*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 激光 干涉 诱导 反应 晶体 硅制绒 工艺
【权利要求书】:

1.一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其具体步骤是:

(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;

(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;

(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片从而发生化学反应:选择合适的激光波长、脉冲频率、激光功率,将激光光束进行均匀化处理,通过分光镜或光栅形成干涉图样;

(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。

2.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(2)中的强碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液,溶液的温度保持在室温25℃或以下。

3.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(2)中的激光光束经过扩束处理。

4.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(3)中激光光束通过分光镜或光栅使激光在硅片上方发生干涉,干涉产生的条纹光斑的宽度小于15μm。

5.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(4)中激光光束产生的条纹光斑将照射的硅片表面加热到50℃~100℃,以使加热区域同周边的强碱溶液发生反应,在该位置形成腐蚀坑。

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