[发明专利]一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺有效
申请号: | 201210165251.6 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN102709163A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 沈辉;刘超;梁齐兵 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/306 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 510006 广东省广州市大*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 激光 干涉 诱导 反应 晶体 硅制绒 工艺 | ||
1.一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其具体步骤是:
(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;
(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;
(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片从而发生化学反应:选择合适的激光波长、脉冲频率、激光功率,将激光光束进行均匀化处理,通过分光镜或光栅形成干涉图样;
(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。
2.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(2)中的强碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液,溶液的温度保持在室温25℃或以下。
3.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(2)中的激光光束经过扩束处理。
4.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(3)中激光光束通过分光镜或光栅使激光在硅片上方发生干涉,干涉产生的条纹光斑的宽度小于15μm。
5.根据权利要求1所述的基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其特征在于:上述步骤(4)中激光光束产生的条纹光斑将照射的硅片表面加热到50℃~100℃,以使加热区域同周边的强碱溶液发生反应,在该位置形成腐蚀坑。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造