[发明专利]雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：

第一导电型的半导体衬底；

在所述半导体衬底的主表面上依次层叠的雪崩倍增层、电场缓冲层、光吸收层、及窗层；

设于所述窗层的一部分的第二导电型的杂质区域；以及

直线状电极，其配置在所述杂质区域上且与所述杂质区域连接，从与所述半导体衬底的所述主表面相向的平面上看该电极呈直线状。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述直线状电极和所述杂质区域的外端的间隔为30μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述杂质区域俯视时为长方形或圆角长方形，

所述直线状电极沿着所述杂质区域的长边方向延伸。

4.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述杂质区域具有俯视时为长方形的长方形区域、和分别与所述长方形区域的2个短边接合的2个半圆状区域。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

还包括半圆状电极，其配置在所述半圆状区域上，且与所述直线状电极接合。

6.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

还包括设在除所述杂质区域以外的所述窗层上的遮光金属。

7.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述直线状电极具有互相平行地配置的直线状的多个电极部。

8.根据权利要求7所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

相邻的所述直线状电极部的间隔为60μm以下。

9.根据权利要求7所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述直线状电极还包括与所述多个电极部正交且共同连接到这些电极部的电极部。

10.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

还包括配置在所述窗层的所述杂质区域以外的区域上的电极焊盘，

所述直线状电极和所述电极焊盘的连接部横跨所述杂质区域上的部位仅为1个部位。

11.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述直线状电极被分离为两部分。

12.根据权利要求11所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

还包括配置在所述窗层的所述杂质区域以外的区域上的2个电极焊盘，

被分离为两部分的所述直线状电极和所述2个电极焊盘各自的连接部横跨所述杂质区域上的部位仅为2个部位。

13.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

在与所述直线状电极的延伸方向垂直的方向上，所述直线状电极的宽度相对所述杂质区域的宽度的比例为20％以下。

14.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述直线状电极无角部。

15.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述直线状电极为透明电极。

16.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，

所述杂质区域的杂质浓度为1×10¹⁹cm^-3以上。

17.一种雪崩光电二极管阵列，其特征在于，

权利要求1或2所述的雪崩光电二极管被排列成多个阵列状。