[发明专利]双面背接触太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；

(2) 硅片背靠背进行单面扩散，硅片的背面为扩散面，在硅片背面形成第一扩散层；

(3) 在硅片的正面和背面制备阻挡膜；

(4) 在硅片的背面的部分区域进行开窗，去除所述阻挡膜；所述部分区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；

(5) 将步骤(4)得到的硅片放入碱液中，腐蚀去除所述部分区域的第一扩散层；

(6) 去除硅片正面的阻挡膜；

(7) 在硅片上开孔；清洗硅片表面；

(8) 将步骤(7)得到的硅片进行扩散，在硅片的正面、孔内以及硅片背面的孔的周围区域形成第二扩散层；

(9) 刻蚀周边结；去除硅片背面的阻挡膜，清洗硅片表面；

(10) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；

(11) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述硅片为N型硅片，所述第一扩散层为磷扩散层，第二扩散层为硼扩散层。

3.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的阻挡膜为二氧化硅阻挡膜或氮化硅阻挡膜，其厚度为40~200 nm。

4.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，采用印刷腐蚀浆料去除法或激光去除法进行开窗。

5.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的碱液为NaOH溶液或KOH溶液，其质量浓度为1%~30%，腐蚀的温度为50~90℃，腐蚀时间30~800s，腐蚀深度300~5000 nm。

6.一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；

(2) 硅片背靠背进行单面扩散，硅片的背面为扩散面，在硅片背面形成第一扩散层；

(3) 将上述硅片背靠背进行单面扩散，硅片的正面为扩散面，在硅片正面形成第二扩散层；

(4) 在硅片的正面和背面制备阻挡膜；

(5) 在硅片的背面的部分区域进行开窗，去除所述阻挡膜；所述部分区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；

(6) 将步骤(5)得到的硅片放入碱液中，腐蚀去除所述部分区域的第一扩散层；

(7) 在硅片上开孔；

(8) 刻蚀周边结，去除硅片正面和背面的阻挡膜，清洗硅片表面；

(9) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；

(10) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触太阳能电池。

7.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述硅片为N型硅片，所述第一扩散层为磷扩散层，第二扩散层为硼扩散层。

8.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)之后，去除硅片背面的杂质玻璃。

9.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中的阻挡膜为二氧化硅阻挡膜或氮化硅阻挡膜，其厚度为40~200 nm。

10.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中的碱液为NaOH溶液或KOH溶液，其质量浓度为1%~30%，腐蚀的温度为50~90℃，腐蚀时间30~800s，腐蚀深度300~5000 nm。