[发明专利]发光二极管模块无效
申请号: | 201210167033.6 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN103423632A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 庄德铭 | 申请(专利权)人: | 安沛有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V5/00;F21V9/10;H01L33/58;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北市信*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 模块 | ||
1.一种发光二极管模块,其特征在于,其是包含:
一载体;
一发光二极管芯片,其是设置于该载体的上方;及
一光学构件,其是设于该发光二极管芯片的上方,且该光学构件呈球形,该光学构件内包含复数个荧光粉;
其中该光学构件的外侧具有复数个环状凸出部。
2.如权利要求1所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该些环状凸出部呈水平方向排列。
3.如权利要求1所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该光学构件的下方具有一容置槽,该发光二极管芯片容置于该容置槽,该容置槽具有一侧壁。
4.如权利要求3所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该光学构件的底部设有一凸出部,该凸出部朝下凸出,且该凸出部是位于容置槽内。
5.如权利要求4所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该凸出部的一侧具有一环状斜面,该环状斜面连接于该凸出部与该侧壁之间。
6.如权利要求3所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该光学构件的底部设有一凹入曲面,该凹入曲面朝上凹入,且该凹入曲面是位于容置槽内。
7.如权利要求6所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该凹入曲面的一侧具有一环状斜面,该环状斜面连接于该凹入曲面与该侧壁之间。
8.如权利要求3所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该侧壁具有复数个条状凸出部,该些凸出部呈垂直方向排列。
9.如权利要求1所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该光学构件的上方设有至少一凹槽。
10.如权利要求9所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该凹槽呈倒锥形。
11.如权利要求1所述的发光二极管模块,其特征在于,更包含一灯罩,该灯罩设置于该载体上并罩设于该光学构件的上方。
12.一种发光二极管模块,其特征在于,其是包含:
一载体;
一发光二极管,其是设置于该载体的上方;及一光学构件,其是罩设于该发光二极管的上方,且该光学构件的下方具有一容置槽,该发光二极管容置于该容置槽;
其中,该光学构件的底部设有一凸出部或一凹入曲面,该凸出部或该凹入曲面是位于容置槽内。
13.如权利要求12所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该凸出部或该凹入曲面的一侧具有一环状斜面,该环状斜面连接于该凸出部或该凹入曲面与该容置槽的一侧壁之间。
14.如权利要求13所述的发光二极管模块,其特征在于,其中,该侧壁具有复数个条状凸出部,该些凸出部呈垂直方向排列。
15.如权利要求12所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该光学构件呈球形。
16.如权利要求12所述的发光二极管模块,其特征在于,其中且该光学构件的外侧具有复数个环状凸出部。
17.如权利要求16所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该些环状凸出部呈水平方向排列。
18.如权利要求12所述的发光二极管模块,其特征在于,其中,该光学构件的上方设有至少一凹槽。
19.如权利要求18所述的发光二极管模块,其特征在于,其中且该凹槽呈倒锥形。
20.如权利要求12所述的发光二极管模块,其特征在于,更包含一灯罩,该灯罩设置于该载体上并罩设于该光学构件的上方。
21.如权利要求12所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该发光二极管包含一芯片与一封装体,该封装体设于该芯片的上方,且该封装体内包含有复数个荧光粉。
22.一种发光二极管模块,其特征在于,其是包含:
一载体;
一发光二极管,其设置于该载体的上方;及
一光学构件,其是设于该发光二极管的上方,该光学构件的上方设有至少一凹槽。
23.如权利要求22所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该凹槽呈倒锥形。
24.如权利要求22所述的发光二极管模块,其特征在于,其中该光学构件呈球形。
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