[发明专利]起电初始电路

说明书

技术领域

本发明有关于一种起电初始电路，尤指一种可增加起电能力以及减少使用者不想要的边际效应或是闩锁效应的起电初始电路。

背景技术

请参照图1，图1为先前技术说明一起电初始电路100的示意图。当一高电压启动信号VHES尚未启动一高电压产生单元102时，起电初始电路100利用一N型金属氧化物半导体二极管104固定节点A的电位在VCC-Vth，其中VCC为一内部供应电压，Vth为N型金属氧化物半导体二极管104的临界电压，以及高电压启动信号VHES由一起电电路(power-up circuit)产生；当高电压启动信号VHES启动高电压产生单元102时，高电压产生单元102产生一内部高电压VIH，其中内部高电压VIH大于VCC-Vth。

在先进金属氧化物半导体晶体管制作过程中，内部供应电压VCC随着金属氧化物半导体晶体管制作过程的进步而逐渐降低，所以VCC-Vth亦逐渐降低。因为VCC-Vth逐渐降低，所以起电初始电路100的起电(power-up)能力降低，以及会出现一些使用者不想要的边际效应(side effect)或是闩锁(latch-up)效应。因此，对于使用者而言，起电初始电路100并非是一个好的起电初始电路。

发明内容

本发明的一实施例提供一种起电初始电路。该起电初始电路包含一起电控制单元、一第一开关和一第二开关。该起电控制单元用以接收一高电压启动信号，以及产生一第一起电控制信号；该第一开关具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，用以耦接于该起电控制单元，以接收该第一起电控制信号，及一第三端；该第二开关具有一第一端，耦接于该第一开关的第三端，一第二端，用以耦接于该起电控制单元，以接收该第一起电控制信号，及一第三端，用以耦接于一高电压产生单元。

上述的起电初始电路，其中该高电压产生单元另用以接收该高电压启动信号。

上述的起电初始电路，其中当该高电压启动信号为一低电位时，该第一开关与该第二开关根据该第一起电控制信号开启，该高电压产生单元根据该高电压启动信号关闭，以及该第一开关的第三端的电位与该第二开关的第三端的电位为该外部电压。

上述的起电初始电路，其中当该高电压启动信号为一高电位时，该第一开关与该第二开关根据该第一起电控制信号关闭，该高电压产生单元根据该高电压启动信号开启，以产生并输出一内部高电压，以及该第二开关的第三端的电位为该内部高电压。

上述的起电初始电路，其中该第一开关与该第二开关为P型金属氧化物半导体晶体管。

上述的起电初始电路，另包含：一第三开关，具有一第一端，用以接收一内部电压，一第二端，用以耦接于该起电控制单元，以接收该起电控制单元所产生的一第二起电控制信号，及一第三端，耦接于该第一开关的第三端；其中该第二起电控制信号和该第一起电控制信号反相。

上述的起电初始电路，其中该高电压产生单元另用以接收该高电压启动信号。

上述的起电初始电路，其中当该高电压启动信号为一低电位时，该第一开关与该第二开关根据该第一起电控制信号开启，该第三开关根据该第二起电控制信号关闭，该高电压产生单元根据该高电压启动信号关闭，以及该第一开关的第三端的电位与该第二开关的第三端的电位为该外部电压。

上述的起电初始电路，其中当该高电压启动信号为一高电位时，该第一开关与该第二开关根据该第一起电控制信号关闭，该第三开关根据该第二起电控制信号开启，该高电压产生单元根据该高电压启动信号开启，以产生并输出一内部高电压，以及该第一开关的第三端的电位为该内部电压与该第二开关的第三端的电位为该内部高电压。

上述的起电初始电路，其中该起电控制单元包含：一第一反相器，具有一第一端，用以接收该高电压启动信号，及一第二端，耦接于该第三开关的第二端，用以输出该第二起电控制信号，其中该第二起电控制信号和该高电压启动信号反相；及一第二反相器，具有一第一端，耦接于该第一反相器的第二端，用以接收该第二起电控制信号，及一第二端，耦接于该第一开关的第二端与该第二开关的第二端，用以输出该第一起电控制信号。

上述的起电初始电路，其中该第三开关为一P型金属氧化物半导体晶体管。

上述的起电初始电路，其中该起电控制单元包含：一第一反相器，具有一第一端，用以接收该高电压启动信号，及一第二端；及一第二反相器，具有一第一端，耦接于该第一反相器的第二端，及一第二端，耦接于该第一开关的第二端与该第二开关的第二端，用以输出该第一起电控制信号。