[发明专利]发光二极管阵列与其形成方法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列的形成方法，包含：

形成一磊晶结构在一暂时基板上，所述磊晶结构包含一第一型掺杂层、一发光层以及一第二型掺杂层；

蚀刻所述磊晶结构，以形成多个发光二极管；

蚀刻一或多个所述发光二极管，移除所述发光层以及所述第二型掺杂层，并暴露至少部分所述第一型掺杂层，由此形成一或多个接触单元；

通过一或多个内联机电耦合(electrically coupled)所述接触单元及/或所述发光二极管；

形成一功能结构在所述多个发光二极管与所述一或多个接触单元上方；以及

移除所述暂时基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触单元的所述第一型掺杂层与相邻发光二极管的所述第二型掺杂层通过所述内联机电耦合，并且其它相邻发光二极管通过所述内联机彼此电耦合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触单元具有一第一表面用以电耦合所述内联机，以及一第二表面作为外部电耦合端点，所述第一表面相对于所述第二表面。

4.根据权利要求1所述的方法，所述磊晶结构还包含一缓冲层，所述缓冲层位于所述暂时基板与所述第一型掺杂层之间，在移除所述暂时基板后，还包含移除所述缓冲层与粗化所述第一型掺杂层。

5.一种发光二极管阵列，包含：

一功能性结构，至少具有一永久基板；

多个发光二极管，位于所述功能性结构上，其中每个所述发光二极管包含一第一型掺杂层、一发光层以及一第二型掺杂层；

一或多个接触单元，位于所述功能性结构上，具有所述第一型掺杂层；

一或多个内联机，用来电耦合所述接触单元及/或所述发光二极管。

6.根据权利要求5所述的发光二极管阵列，其中所述接触单元的所述第一型掺杂层与相邻发光二极管的所述第二型掺杂层通过所述内联机电耦合(electrically coupled)，并且其它相邻发光二极管通过所述内联机彼此电耦合。

7.根据权利要求5所述的发光二极管阵列，其中所述接触单元具有一第一表面用以电耦合所述内联机，以及一第二表面作为外部电耦合端点，所述第一表面相对于所述第二表面。

8.根据权利要求7所述的发光二极管阵列，还包含一第一外部电极，其位于所述接触单元的所述第二表面上，所述第一外部电极电耦合所述第一型掺杂层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管阵列，还包含一第二外部电极，其位于至少一所述发光二极管的所述第一型掺杂层表面，所述第二外部电极电耦合所述第一型掺杂层。

10.根据权利要求5所述的发光二极管阵列，其中所述内联机位于所述功能性结构与所述发光二极管之间，每个所述发光二极管还包含：

一第一内部电极，其电耦合所述第一型掺杂层；与

一第二内部电极，其电耦合所述第二型掺杂层；

其中，所述第一内部电极与所述第二内部电极位于所述功能性结构与所述些发光二极管之间，用来与所述内联机连接，由此电耦合所述接触单元及/或所述发光二极管。

11.根据权利要求5所述的发光二极管阵列，还包含一绝缘层，其位置关系如下列族群中之一者或其任意组合：相邻发光二极管之间、相邻接触单元之间、以及所述接触单元与相邻发光二极管之间。

12.根据权利要求11所述的发光二极管阵列，其中所述内联机位于所述绝缘层与所述功能性结构之间。

13.根据权利要求5所述的发光二极管阵列，其中所述功能结构还包含一反射层，所述反射层位于所述永久基板与多个所述发光二极管之间。

14.根据权利要求9所述的发光二极管阵列，其中所述发光二极管阵列是一串联阵列，所述第一外部电极与所述第二外部电极大致位于所述阵列的对角位置。

15.根据权利要求9所述的发光二极管阵列，其中所述发光二极管阵列包含复阵列串联发光二极管，每一组串联发光二极管的一端是所述接触单元，位于所述接触单元上的所述第一外部电极彼此连接。