[发明专利]温度测量装置、温度测量方法和热处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一边通过使旋转台旋转而使基板旋转、一边对基板进行热处理的热处理装置所采用的温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。

背景技术

作为热处理装置，例如公知有在设置于处理容器内的旋转台的旋转方向上载置多张作为基板的半导体晶圆（以下记载为晶圆）的装置。在该热处理装置中，沿着旋转的该旋转台的径向设有用于供给处理气体的气体供给部。另外，还设有用于加热晶圆的加热器，通过一边自气体供给部喷射气体并利用加热器加热晶圆、一边通过使旋转台旋转来对晶圆进行成膜处理。

例如，在该热处理装置的开发阶段，为了把握处理容器内的整体温度分布而进行检查。在该检查过程中，在处理容器内的各部分安装热电偶，使加热器的温度上升，利用热电偶测量其周围的温度。在此，由于各部分的热电偶只能测量其周边附近的温度，因此，根据各热电偶的测量结果假定了处理容器内的整体温度分布。

但是，在进行该检查时，需要将处理容器开放于大气来安装热电偶，这样的检查的事前准备会花费较多的作业时间。另外，由于处理容器内的整体温度是如上所述那样根据定点测量的多个温度假定的，因此，有可能偏离实际的温度。

在专利文献1中记载有一种测量被载置在旋转式基座上的基板的温度分布测量方法，该旋转式基座设置在用于使薄膜气相生长的反应炉内。在该方法中，利用设置在规定位置的温度测量部连续地对被载置在旋转的基座上的基板的表面温度进行测量，根据与基座的旋转数相关的信息来对随着基座的旋转而变换的基板测量点的轨迹进行分析，根据该分析结果使利用温度测量部测量到的温度数据与各测量点相关联，从而计算基板表面的温度分布。

专利文献1：日本特开平11－106289

发明内容

本发明即是在上述情况下做成的，其目的在于提供一种在热处理装置中容易且详细地推测处理容器内的温度分布的技术，该热处理装置在处理容器内具有用于载置基板且旋转的旋转台。

本发明的一技术方案提供一种温度测量装置，一种温度测量装置，其用于推断热处理装置的处理容器内的温度分布，该热处理装置包括：上述处理容器，其在内部设有用于载置基板的旋转台；加热部，其用于加热该处理容器，其中，该温度测量装置包括：辐射温度测量部，其以通过沿着上述旋转台的径向扫描该旋转台的一个面侧而能够测量沿着该径向形成的多个温度测量区域的温度的方式设置；指示接受部，其用于接受上述处理容器内的温度分布的测量指示；动作控制部，在上述指示接受部接受上述处理容器内的温度分布的测量指示时，其开始利用上述加热部加热上述处理容器，并且使上述旋转台静止，在从利用上述加热部开始加热上述处理容器经过规定的时间之后，其一边使上述旋转台相对于上述辐射温度测量部旋转，一边在该旋转台的整个周向上重复利用上述辐射温度测量部沿着上述旋转台的径向扫描该旋转台的上述一个面侧来测量上述多个温度测量区域的温度的处理，自上述辐射温度测量部取得上述多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，其基于上述辐射温度测量部沿着上述旋转台的径向扫描的每一次扫描的温度测量区域的数量及上述旋转台的转速，指定上述动作控制部取得了上述温度的上述温度测量区域的地址，使该温度和该地址相关联并存储到存储部中；温度数据显示处理部，其基于由上述温度映射制作部存储到上述存储部中的上述温度和上述地址，将上述旋转台的上述一个面侧的温度分布显示为上述处理容器内的温度分布的推断值。

本发明的另一技术方案提供一种热处理装置，其中，该热处理装置包括处理容器，其在内部设有用于载置基板的旋转台；加热部，其用于加热该处理容器；上述温度测量装置。