[发明专利]一种Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用无效

专利信息
申请号: 201210168177.3 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN102677013A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 刘超前;柴卫平;王楠 申请(专利权)人: 大连交通大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;H01L31/032
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅
地址: 116028 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 cu in sub ga se 薄膜 及其 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种Cu(In1-xGax)Se2薄膜的制备方法,为磁控溅射方法,包括下述工艺步骤:

a.预制薄膜制备:在惰性气氛下,磁控溅射的溅射功率:30W~400W,溅射气压为0.1Pa~5.0Pa,靶基距为5cm~15cm,靶材为Cu(In1-xGax)Se2陶瓷靶,x=0.2~0.3;

b.热处理:采用光辐射加热方法,在惰性气氛下,升温速率为50~150°C/s,晶化温度450~600°C,在晶化温度保温10min~60min。

2.根据权利要求1所述的Cu(In1-xGax)Se2薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤a中磁控溅射的溅射功率是30W、50W、100W或400W。

3.根据权利要求1所述的Cu(In1-xGax)Se2薄膜的制备方法,其特征在于:所述磁控溅射方法中采用的溅射电源为直流电源、直流脉冲、中频电源或射频电源。

4.根据权利要求1所述的Cu(In1-xGax)Se2薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中所述惰性气氛为Ar气;步骤b中所述惰性气氛为Ar气或N2气。

5.一种由上述任一权利要求所述方法制备的Cu(In1-xGax)Se2薄膜。

6.根据权利要求5所述的Cu(In1-xGax)Se2薄膜,其特征在于:所述Cu(In1-xGax)Se2是黄铜矿物相,厚度为1.0μm~2.0μm。

7.一种太阳能电池,其特征在于:所述的太阳能电池为层状多晶薄膜太阳能电池,所述层状多晶薄膜太阳能电池中的光吸收层是权利要求5或6所述的Cu(In1-xGax)Se2薄膜。

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