[发明专利]CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法及装置

权利要求书

1.一种CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

计算光强值，所述光强值与图像亮度（Y）、曝光时间（TEXP）、感光二极管的当前光能转化增益（FD）以及第二增益（GAIN）有关；

从所述感光二极管具备的光能转化增益系列中选择与所述光强值匹配的光能转化增益，所述光能转化增益系列至少包括两种光能转化增益。

2.如权利要求1所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：所述的计算光强值包括以下步骤：

统计图像的R、G、B分量，得到所述的图像亮度；

根据图像亮度、曝光时间、感光二极管的当前光能转化增益以及第二增益，计算得到光强信息（light）；

对N帧图像的光强信息取平均值，得到所述的光强值，所述N为自然数。

3.如权利要求2所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

所述的统计图像的R、G、B分量，根据公式：Y=a|R+b|G+c|B计算，a、b、c为正实数且a+b+c=1。

4.如权利要求3所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：a为0.299，b为0.587，c为0.114。

5.如权利要求2所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

所述的计算得到光强信息，根据公式：

light=log₂Y-log₂TEXP-log₂FD-log₂GAIN+M计算，所述M为自定义实数。

6.如权利要求5所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：所述的M为40。

7.如权利要求2所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

所述的N的大小，由选择光能转化增益的频率决定。

8.如权利要求1所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

所述的图像亮度的范围为1~1023，所述的曝光时间的范围为1~（256*582*908），所述的光能转化增益的范围为1~10，所述的第二增益的范围为1~51。

9.如权利要求1所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：所述的第二增益包括模拟增益和数字增益。

10.如权利要求1所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

所述的从所述感光二极管具备的光能转化增益系列中选择与所述光强值匹配的光能转化增益，包括：

根据所述光能转化增益系列包括的光能转化增益，设置光强阈值，所述光能转化增益与所述光强阈值的数量比为（n+1）：2n，n为自然数；

建立光强阈值与光能转化增益的对应关系，所述光强阈值越小，对应的光能转化增益越高；相邻的2个光强阈值对应相邻的2种光能转化增益；

根据所述光强值，确定相邻的2个光强阈值；

当所述光强值小于相邻2个光强阈值中较小一个时，选择对应2种光能转化增益中较高者；

当所述光强值大于相邻2个光强阈值中较大一个时，选择对应2种光能转化增益中较低者；

当所述光强值介于相邻2个光强阈值之间，根据所述当前光能转化增益选择光能转化增益。

11.如权利要求10所述的CMOS传感器中感光二极管的光能转化增益选择方法，其特征在于：

所述的根据所述当前光能转化增益选择光能转化增益，包括：在对应2个光能转化增益中选择与所述当前光能转化增益差距较小者。