[发明专利]一种上电复位电路及其方法

权利要求书

1.一种上电复位电路，设置在电路系统中，对电路系统进行上电复位操作，其特征在于，所述上电复位电路包括：分压网络电路(I1)和与其连接的复位信号POR产生电路(I2)。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述分压网络电路(I1)对电路系统进行电压检测，将检测电压送入所述复位信号POR产生电路(I2)；所述复位信号POR产生电路(I2)产生复位信号，对所述电路系统进行复位。

3.根据权2所述的上电复位电路，其特征在于，所述复位信号POR产生电路(I2)产生的复位信号还反馈至所述分压网络电路的输入端。

4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述分压网络电路(I1)包括第一供电电源(Vdd1)和与其连接的分压网络模块；所述分压网络模块的输出端(Vr)连接所述复位信号POR产生电路(I2)的输入端。

5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述分压网络模块包括：MOS管(M12、M13)和第三电阻(R3)；M12的源极和Vdd1连接，M12的栅极和漏极相互连在一起；M13的源极和M12的漏极相连接，M13的栅极(F2)和所述复位信号POR产生电路(I2)的输入端连接，M13的漏极和R3的输出端(Vr)相连接；R3的第二端口和地连接在一起。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述复位信号(POR)产生电路(I2)包括第二供电电源(Vdd2)、晶体管单元、电阻单元和反相器(INV1)；所述晶体管单元分别和所述供电电源2(Vdd2)、电阻(R1，R2)和反相器(INV1)连接。

7.根据权利要求6所述的上电复位电路，其特征在于，所述晶体管单元包括：双极型晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)、PMOS管子(M5、M6、M7、M10)和NMOS管子(M1、M2、M3，M4，M8，M9，M 11)；其中，双极型晶体管Q1和Q2的集电极相连接并且都和Vr相连，Q1和Q2的基极相连，Q2的发射极和基极相连并和电阻(R1)的一端连接；Q1的发射极和M1的漏极相连接；双极型晶体管Q3和Q4的集电极相连接并且和Vr相连，Q3和Q4的基极相连，Q3的发射极和基极相连并和第一电阻(R1)的另一端(F3)相连接；Q4的发射极和M3的漏极相连接；M1的栅极和漏极相连接，并和M2的栅极连接；M1的源极和M2的源极都接地；M3的栅极和漏极相连接，并和M4的栅极、M8的栅极连接；M3的源极和M4的源极接地；M5的栅极和漏极相连接，并和M6的栅极、M2的漏极连接；M5的源极和M6的源极都和Vr连接；M6的漏极(F4)和M4的漏极相连接，并和M7的栅极连接；M2、M4和M8的源极接地；M7、M8和M9的漏极(F5)连接后，和M10、M11的栅极连接；M10和M11的漏极(F1)相连接，并且和M9的栅极、反相器(INV1)的输入端口连接在一起；M7的源极和Vr相连，M10的源极和Vdd2相连；M8、M9、M11的源极接地；反相器(INV1)的输出端口(F2)的输出信号就是电路系统的复位信号。

8.根据权利要求7所述的上电复位电路，其特征在于，所述复位信号(POR)产生电路(I2)还包括第一反馈支路和第二反馈支路；其中，所述第一反馈支路包括：在复位信号POR产生后，F2节点输出低电平关断M13，切断复位电路的电源；所述第二反馈支路为：F2节点翻转为低电平较F1节点翻转为高电平存在一定延时，F1高电平反馈到M9的栅极使M9导通，F5节点电平被拉到地电平，然后F2低电平反馈到M13的栅极关断整个复位电路。

9.一种应用于权利要求1-8任一项所述电路的上电复位方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1).对外部供电电压Vdd1进行分压，获得分压后电压Vr；

(2)所述分压后的电压Vr并联接入二对晶体管，其中第一对晶体管Q1和Q2形成第一级电流镜，第二对晶体管Q3和Q4形成第二级电流镜；所述晶体管Q2与电阻R1、R2串联，晶体管Q3与电阻R2串联，通过调节R1、R2，产生温度补偿的复位信号。