[发明专利]多层陶瓷电子组件有效
| 申请号： | 201210169446.8 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102903520B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 金相赫;李章镐;徐珠明;崔圣赫;裴钟勋;金俊熙;宋璿基 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电子 组件 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及
第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间，
其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，
当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，满足De/td≤0.35，并且
当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di，并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足0.1<Di/Dd<1。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为Dc时，满足Dc/td≤0.25。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末具有相同的组成。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，第一内电极层或第二内电极层具有80％或更大的连续性。
5.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及
第一内电极层和第二内电极层，形成在陶瓷主体内，第一内电极层和第二内电极层均具有80％或更大的连续性，
其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，
当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，满足De/td≤0.35，并且
当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di，并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足0.1<Di/Dd<1。
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为Dc时，满足Dc/td≤0.25。
7.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末具有相同的组成。
8.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括层叠在其中并且平均厚度为0.6μm或更小的多个介电层；以及
多个第一内电极层和多个第二内电极层，形成在陶瓷主体内，
其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，
当介电层的平均厚度被定义为td，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时，满足De/td≤0.35，并且
当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Di，并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd时，满足0.1<Di/Dd<1。
9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，当非接触介电颗粒的平均直径被定义为Dc时，满足Dc/td≤0.25。
10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末具有相同的组成。
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