[发明专利]提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法

权利要求书

1.一种提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于包括：叠层形成步骤，用于在包含PMOS和NMOS的半导体硅片上依次形成第一二氧化硅层、含氢氮化硅层和第二二氧化硅层；

第二二氧化硅层刻蚀步骤，用于对所述第二二氧化硅层进行刻蚀从而去除所述NMOS区域上的第二二氧化硅层，并留下所述PMOS区域上的第二二氧化硅层；

辐射步骤，用于利用紫外光对所述第二二氧化硅层刻蚀步骤之后得到的结构进行辐射；以及

第二二氧化硅层去除步骤用于去除所述PMOS区域上的剩余第二二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，其中半导体硅片的衬底上布置了P型掺杂的阱以及N型掺杂的阱，并且在P型掺杂的阱中形成了NMOS，在N型掺杂的阱中形成了PMOS。

3.根据权利要求1或2所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，通过化学气相沉积实现所述叠层形成步骤。

4.根据权利要求1或2所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，所述第一二氧化硅层的厚度为100-300A，并且所述第一二氧化硅层作为刻蚀停止层。

5.根据权利要求1或2所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，所述含氢氮化硅层的厚度为400-800A。

6.根据权利要求1或2所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，所述第二二氧化硅层的厚度为7100-300A。

7.根据权利要求1或2所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，在所述第二二氧化硅层刻蚀步骤中，首先利用光刻胶将PMOS区域挡住，然后利用所述光刻胶去除NMOS区域上的第二二氧化硅层。

8.根据权利要求1或2所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其特征在于，利用湿法刻蚀执行所述第二二氧化硅层去除步骤。

9.一种采用了根据权利要求1至8之一所述的提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法的接触刻蚀阻挡层工艺方法。

10.一种采用了根据权利要求9所述的接触刻蚀阻挡层工艺方法的半导体制造方法。