[发明专利]一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构及其制造方法

权利要求书

1.一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构，其特征是，包括：版图设计完全相同并列排布的两个非对称LDMOS器件，所述两个非对称LDMOS器件具有共P型阱区，所述共P型阱区中形成有间隔排列的N型重参杂区和P型重参杂区；所述两个非对称LDMOS器件共用一衬底引出端，所述两个非对称LDMOS的源极均与共用的衬底引出端通过金属硅化物以及接触孔和金属引线共接，所述两个非对称LDMOS的栅极分别作为引出端，所述两个非对称LDMOS的漏极分别作为引出端。

2.一种非对称LDMOS工艺偏差监控结构的制造方法，其特征是，包括：

步骤一、在P型衬底上利用外延技术生成N型外延层；

步骤二、在N型外延层上利用离子注入技术分别生成N型埋层和P型埋层，其中非对称LDMOS器件做在N型埋层内；

步骤三、在硅片内利用氧化技术分别形成有源区和隔离用的场区；

步骤四、在硅片内利用离子注入技术分别生成N型阱区和P型阱区；

步骤五、在硅片内利用氧化技术，在有源区上形成栅氧，利用CVD技术淀积多晶硅，并利用光刻技术形成多晶硅栅极；

步骤六、在硅片内利用离子注入技术分别生成N型重参杂区和P型重参杂，分别形成非对称LDMOS器件的源极、漏极和衬底引出端；

步骤七、在硅片内利用CVD技术淀积氧化层，形成介质层；

步骤八、在硅片形成通孔和金属层，将非对称LDMOS器件的源极，漏极，衬底和栅极引出。