[发明专利]对位标识及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对位标识以及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法，该对位标识特别适用于半导体元件的制作。

背景技术

目前，常用的平板显示器包括LCD（Liquid Crystal Display：液晶显示器）和OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）显示器。在成像过程中，LCD中每一液晶像素点都由集成在阵列基板（Array）上的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示；AMOLED（Active Matrix Organic Light Emission Display，有源矩阵驱动式OLED）显示器由TFT驱动OLED面板中对应的OLED像素，再配合外围驱动电路，实现图像显示。在上述显示器中，TFT作为一种半导体元件，是控制发光的开关，它是实现LCD和OLED显示器进行高性能显示的关键部件。

在半导体元件的生产过程中，曝光工艺是其中重要的制作工艺之一，尤其是在阵列基板中制作TFT阵列时，由于TFT的对位精度要求非常高，曝光效果的好坏更是直接影响TFT的性能。目前常用的曝光机主要包括扫描式曝光机和步进式曝光机，相对于步进式曝光机，扫描式曝光机生产效率较高，为了保证生产效率，大多数TFT的制作均采用扫描式曝光机。

由于TFT中包括有多个层，因此在通过曝光工艺制作阵列基板时，一般需要在掩模板上设置对位标记以作为曝光机与基板之间、以及TFT中的多个不同层之间的自动对位的对位基准，以保证所制作的TFT结构的正确性以及性能。目前，扫描式曝光机进行自动对位所依据的对位标记主要包括SRC（Stage Reference Control）（粗对位）标记与ADC(Automatic Distortion Control)（精对位）标记。

图1所示为现有技术中设于第一掩模板上的对位标记的形状示意图，所述第一掩模板用于在曝光工艺中制作TFT的第一层图形。如图1所示，所述对位标记包括第一粗对位（预对位）标记1和第一精对位标记2。其中，第一粗对位标记1呈“田”字形，其包括外框和设于所述外框内的“十”字，第一精对位标记2包括平行设置的两横条以及平行设置的两竖条，所述两横条设置在两竖条的上方。在TFT的制作过程中，曝光机将第一掩模板上的第一粗对位标记1和第一精对位标记2一次性曝光形成到基板上，即形成如图3所示的基板粗对位图形5和基板精对位图形6，所形成的基板粗对位图形5和基板精对位图形6与所述第一粗对位标记1和第一精对位标记2形状和尺寸完全一致。图2所示为现有技术中设于第i掩模板（根据TFT结构以及掩模工艺的不同，i=2，3，4，5，6）上的第i掩模板对位标记的结构示意图，所述第i掩模板用于制作TFT的第i层图形。如图2所示，所述第i掩模板对位标记包括第i精对位标记4，第i精对位标记4呈分离的T字形，其包括一横条和一竖条，所述竖条与所述横条分离设置。在基板上形成第一粗对位标记1和第一精对位标记2后，曝光机根据预定的位置坐标，自动对位寻找到基板上的基板粗对位图形5，然后将基板粗对位图形5中“十”字中点作为对位基准，进行自动对位而使第i精对位标记4与基板精对位图形6对准。在实际制作过程中，所述第一掩模板上的对位标记以及第i掩模板上的掩模板对位标记在各掩模板上的位置和数量可以根据显示器的尺寸以及要求精度进行设计。

现有技术中采用扫描式曝光机制作TFT的制作方法包括如下步骤：

步骤1：将第一掩模板设置在空白基板上的适当位置，通过曝光机在基板上制作TFT的第一层图形，所形成的第一层图形中包括基板粗对位图形5和基板精对位图形6，如图3所示；

步骤2：以基板上的基板粗对位图形5为对位基准，曝光机完成预对位；

步骤3：根据曝光机的曝光精度要求，以基板上的基板精对位图形6为基准，将第二掩模板上的第二精对位标记4与所述基板精对位图形6进行校准并进行多次对位，直至达到预设的对位要求，即完成第一次精对位，然后根据曝光的角度与位置，曝光机曝光制作TFT的第二层图形；

步骤4：重复步骤2和步骤3，依次制作TFT的第三层图形、第四层图形……，直至TFT的各个层制作完成。