[发明专利]用于硅片刻蚀的方法及设备

权利要求书

1.一种用于硅片的刻蚀方法，所述硅片的上表面、下表面以及边缘处形成有磷硅玻璃，其特征在于，包括以下步骤：

（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；

（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；以及

（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。

2.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤（a）中，采用包含HF的第一溶液去除所述硅片的边缘和下表面的磷硅玻璃。

3.根据权利要求2所述的用于硅片的刻蚀方法，其特征在于，所述第一溶液含有硫酸。

4.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤（a）之后且在所述步骤（b）之前，除去所述硅片上剩余的第一溶液。

5.根据权利要求4所述的用于硅片刻蚀的方法，其特征在于，除去所述硅片上剩余的第一溶液包括：

采用吸酸滚轮和风刀中的至少一个除去所述硅片的至少其下表面上的剩余的第一溶液。

6.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤（b）中，采用刻蚀液为HF和HNO₃的混合溶液对所述硅片进行处理，以去除所述硅片上的PN结。

7.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤（c）中，采用含有HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液的第二溶液去除所述硅片上表面的磷硅玻璃。

8.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀方法，其特征在于，所述第二溶液含有硫酸。

9.一种用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：

第一磷硅玻璃去除装置，用于去除硅片边缘和下表面处的磷硅玻璃；

刻蚀装置，用于对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀；以及

第二磷硅玻璃去除装置，用于去除所述硅片的上表面的磷硅玻璃。

10.根据权利要求9所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一磷硅玻璃去除装置中设置有含HF的第一溶液，以去除所述硅片的边缘和下表面的磷硅玻璃。

11.根据权利要求10所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一溶液为HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液。

12.根据权利要求9所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一磷硅玻璃去除装置包括：

第一槽体，所述第一槽体中容纳有所述第一溶液；以及

第一传输滚轮，所述第一传输滚轮至少部分浸润在所述第一溶液中，且所述硅片在所述第一传输滚轮上传输。

13.根据权利要求9所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述用于硅片的刻蚀设备，还包括：剩余刻蚀液移除装置，所述剩余刻蚀液移除装置用于移除经过第一磷硅玻璃去除装置处理之后的所述硅片上剩余的第一溶液。

14.根据权利要求13所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述剩余刻蚀液移除装置与所述第一磷硅玻璃去除装置相邻设置，并且所述剩余刻蚀液移除装置，包括：

第二槽体，所述第二槽体与所述第一槽体相邻设置；

第二传输滚轮，所述第二传输滚轮设置在所述第二槽体中，用于传输所述硅片；以及

至少两个吸酸滚轮，所述吸酸滚轮分别设在所述硅片的上表面和下表面处。

15.根据权利要求13所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述剩余刻蚀液移除装置，包括：

第二槽体，所述第二槽体与所述第一槽体相邻设置；

第二传输滚轮，所述第二传输滚轮设置在所述第二槽体中，用于传输所述硅片；以及

至少两个第一风刀，所述第一风刀分别邻近所述硅片的上表面和下表面设置。

16.根据权利要求14所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述剩余刻蚀液移除装置，还包括：

至少两个第一风刀，所述至少两个第一风刀分别邻近吸酸滚轮设置在所述硅片的上表面和下表面。

17.根据权利要求14所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一槽体和所述第二槽体通过设置在第三槽体中的隔板分隔所形成。