[发明专利]用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：

一第一基板，具有一上表面；

至少一第一芯片，设置于所述第一基板的上表面；

数个转接组件，设置于所述第一基板的上表面；

至少一绝缘材料层，压合于所述第一基板的上表面上，以覆盖所述第一芯片及所述转接组件，并且具有至少一开孔裸露所述转接组件；

数个导电盲孔形成于所述绝缘材料层的开孔内；以及

一重新分配层，设置于所述绝缘材料层上，所述重新分配层的上表面具有数个接合垫，所述接合垫透过所述重新分配层以及所述导电盲孔电性连接所述转接组件。

2.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造作为一堆叠式封装构造的一下封装体，并且通过所述接合垫电性连接一上封装体的一下表面的数个电性连接组件。

3.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘材料层为一低杨氏模数之材料。

4.如权利要求3所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘材料层之杨氏模数介于50至500百万帕斯卡之间。

5.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘材料层内还含浸有一玻璃纤维层。

6.如权利要求5所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述玻璃纤维层介于所述第一芯片及所述绝缘材料层的一上表面之间。

7.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述导电盲孔的直径小于所述转接组件的宽度。

8.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述导电盲孔的深宽比小于0.5。

9.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述重新分配层为一扇入式重新分配层。

10.如权利要求2所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述上封装体的下表面的长宽尺寸小于所述下封装体的上表面的长宽尺寸。

11.如权利要求2所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述转接组件选自凸块或金属球，所述电性连接组件选自凸块或金属球。

12.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述转接组件的间距介于200至500微米之间。

13.如权利要求12所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述转接组件的间距小于300微米。

14.一种用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：

提供一第一基板，所述第一基板具有一上表面；

将至少一芯片设置于所述第一基板的上表面；

将数个转接组件设置于所述第一基板的上表面；

将至少一绝缘材料层压合在所述第一基板的上表面上，以覆盖所述第一芯

片及所述转接组件，所述绝缘材料层具有至少一开孔裸露所述转接组件；

形成数个导电盲孔于所述绝缘材料层的开孔内；以及

将一重新分配层设置于所述绝缘材料层上，所述重新分配层的上表面具有数个接合垫，所述接合垫透过所述重新分配层以及所述导电盲孔电性连接所述转接组件。

15.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述半导体封装构造作为一堆叠式封装构造的一下封装体，并且通过所述接合垫电性连接一上封装体的一下表面的数个电性连接组件。

16.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：填充所述绝缘材料层在所述第一基板以及所述第一芯片与转接组件之间的间隙中。

17.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在所述绝缘材料层压合在所述第一基板的上表面上，以覆盖所述第一芯片及所述转接组件的步骤后，通过激光钻孔定义所述绝缘材料层的开孔。

18.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述重新分配层为一扇入式重新分配层。