[发明专利]双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。

2.根据权利要求1所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：所述应力缓冲导电层仅为负极连接块；多量子阱芯片的负极面通过负极连接块与上液体制冷器的下端面焊接；

或者所述应力缓冲导电层还包括一个弯折的电连接片，该电连接片弯折形成有两端平行的高、低两段，其中电连接片的高段贴合焊接在绝缘片的上端面与上液体制冷器的下端面之间，电连接片的低段贴合焊接在多量子阱芯片的负极面与所述负极连接块的下端面之间。

3.根据权利要求1所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：所述应力缓冲导电层仅为正极连接块，多量子阱芯片的正极面通过正极连接块与下液体制冷器的上端面焊接。

4.根据权利要求1所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：所述应力缓冲导电层包括负极连接块和正极连接块，多量子阱芯片的负极面和正极面分别通过负极连接块和正极连接块与上液体制冷器和下液体制冷器焊接。

5.根据权利要求1至4任一所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：在竖直方向上自上液体制冷器、绝缘片至下液体制冷器，内部贯穿设置有固定螺栓。

6.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：上液体制冷器的下端面与下液体制冷器的上端面之间设置有内部入液通孔和内部出液通孔，上液体制冷器与下液体制冷器通过所述内部入液通孔和内部出液通孔构成整体的液冷通道。

7.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：应力缓冲导电层采用铜钨合金或者铜金刚石复合材料；焊料均采用软焊料。

8.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：上液体制冷器和/或下液体制冷器与相应的电连接块为一体件。

9.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：在内部入液通孔和内部出液通孔处设置有橡胶密封圈。

10.权利要求2所述双通道液体制冷多量子阱半导体激光器的一种加工方法，包括以下步骤：

1）分别加工上液体制冷器和下液体制冷器及其内部的液流通道；其中，下液体制冷器内部的液流通道具有用以与外部的冷却介质源相接的进液端口和出液端口；根据设定的所述内部入液通孔和内部出液通孔的位置，上液体制冷器下端面和下液体制冷器的上端面留有竖直相对的内部入液端口和内部出液端口；

2）在上液体制冷器和下液体制冷器的内部加工出用以安装固定螺栓的螺纹孔；

3）根据设计的多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度，选取绝缘片、弯折的电连接片和负极连接块；其中，在绝缘片和弯折的电连接片上加工有分别对应于固定通孔、内部入液通孔和内部出液通孔的竖直通孔；

4）将多量子阱芯片的正极面焊接于下液体制冷器的上端面一侧，上端面另一侧焊接绝缘片，弯折的电连接片的高段和低段分别与绝缘片和多量子阱芯片的负极面焊接在一起；将负极连接块的上端面与上液体制冷器的下端面焊接，负极连接块的下端面与所述弯折的电连接片的低段焊接；

5）采用固定螺栓将上、下液体制冷器对准安装，制得所述双通道液体制冷多量子阱半导体激光器。