[发明专利]光敏化合物梯度光刻胶有效
| 申请号： | 201210171596.2 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903629A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 余振华;刘重希;郭宏瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光敏 化合物 梯度 光刻 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；以及
光刻胶，位于所述衬底的上方，所述光刻胶包括光敏化合物，所述光敏化合物随着所述光刻胶远离所述衬底延伸而具有浓度梯度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底进一步包括：
第一半导体衬底；以及
管芯，位于所述第一半导体衬底的上方。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述光刻胶进一步包括：
第一光刻胶层，具有第一浓度的光敏化合物；以及
第二光刻胶层，具有第二浓度的光敏化合物，所述第二浓度小于所述第一浓度。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一浓度是达到预期临界程度的浓度。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述光刻胶进一步包括：
第三光刻胶层，具有第三浓度的光敏化合物，所述第三浓度小于所述第二浓度；以及
第四光刻胶层，具有第四浓度的光敏化合物，所述第四浓度小于所述第三浓度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述浓度梯度随着所述光刻胶远离所述衬底延伸而具有减小的浓度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括穿过所述光刻胶的开口，所述开口具有楔形侧壁。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述浓度梯度具有阶梯状。
9.一种半导体器件，包括：
第一衬底和位于所述第一衬底上方的第二衬底；
光刻胶，位于所述第一衬底和所述第二衬底上方，所述光刻胶具有与所述衬底相邻的第一浓度的光敏化合物以及位于从所述第一衬底去除的点处的第二浓度的光敏化合物，所述第二浓度小于所述第一浓度；
第一接触件，延伸穿过所述光刻胶并且与所述第一衬底电连接，所述第一接触具有第一楔形侧壁；以及
第二接触件，延伸穿过所述光刻胶并且与所述第二衬底电连接，所述第二接触具有第二楔形侧壁。
10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底的上方放置第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有第一浓度的光敏化合物；
在所述第一光刻胶层的上方放置第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有第二浓度的光敏化合物，所述第二浓度不同于所述第一浓度；以及
图样化所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，以形成穿过所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的第一开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
