[发明专利]集成式湿度传感器及制造方法

权利要求书

1.一种集成式湿度传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的集成电路；

位于所述集成电路上的传感部件，所述传感部件通过金属互连线与所述集成电路连接；

所述传感部件包括位于金属互连线上的电极、电极上的保护层、保护层上的测量层，所述测量层由介电常数湿度敏感材料构成。

2.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

所述保护层的材料为钻石状碳、非晶碳或氮化硅。

3.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

所述传感部件在所述集成电路的垂直上方，两者在纵向上有重叠。

4.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

所述传感部件在所述集成电路的斜上方，两者在纵向上没有重叠。

5.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

在所述集成电路和所述传感部件之间还有隔离层，所述金属互连线通过隔离层上的连接孔与所述传感部件连接，所述的隔离层材质为氮化硅或氧化硅。

6.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

还有一加热装置，位于所述测量层上或所述测量层与保护层之间。

7.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

所述的介电常数湿度敏感材料为高分子聚合物或陶瓷。

8.如权利要求1所述的集成式湿度传感器，其特征在于：

所述的电极为叉指结构或螺旋形，材料为铝、铜、钛、钨、钽或多晶硅。

9.一种集成式湿度传感器的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成集成电路；

在集成电路上形成金属互连线；

在金属互连线上形成传感部件，依次包括位于金属互连线上的电极、电极上的保护层、保护层上的测量层，所述测量层由介电常数湿度敏感材料构成。

10.如权利要求9所述的集成式湿度传感器的制造方法，其特征在于：

所述的金属互连线多层堆叠，用于隔离传感部件与集成电路。