[发明专利]复合式压力传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种复合式压力传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；

位于所述基底上的电容式压力传感器，与所述第一互连结构电连接；

位于所述电容式压力传感器上的电阻式压力传感器，所述电阻式压力传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压力传感器和电阻式压力传感器之间为第一介质层；

位于所述电阻式压力传感器上的具有开口的第二介质层，所述开口定义出压力感应区的位置。

2.如权利要求1所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述电阻式压力传感器包括电阻线。

3.如权利要求2所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述第一介质层也覆盖所述基底，所述第一介质层具有开口，所述第一介质层的开口暴露出所述第二互连结构与电阻线电连接的位置；

所述电阻线的一部分位于所述第一介质层的开口的侧壁和底部，与所述第二互连结构电连接。

4.如权利要求2所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述电阻线的材料为钛。

5.如权利要求2所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述电阻线呈多折线型。

6.如权利要求1所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述电容式压力传感器包括：位于所述基底上的第一电极，位于所述第一电极上方的第二电极，所述第一电极和第二电极之间为空腔；

所述第二电极与所述第一互连结构电连接。

7.如权利要求6所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述第二电极包括：与所述第一电极相对设置的顶板，位于所述顶板四周的侧壁，位于所述基底上与所述第一互连结构电连接的底板，所述顶板、侧壁、底板为一体结构。

8.如权利要求6所述的复合式压力传感器，其特征在于，所述第二电极的材料为锗硅。

9.一种形成复合式压力传感器的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；

在所述基底上形成第一导电层，图形化所述第一导电层形成第一电极；

形成牺牲层，覆盖所述第一电极和基底，图形化所述牺牲层定义出第二电极的位置，且暴露出第一互连结构与第二电极电连接的位置；

形成第二导电层，覆盖所述图形化后的牺牲层和基底，图形化所述第二导电层形成第二电极，第一电极和第二电极为电容式压力传感器的两个极板；

形成第一介质层，覆盖所述第一电极、第二电极和基底，图形化所述第一介质层，在第一介质层中形成开口，所述开口暴露出第二互连结构与电阻式压力传感器电连接的位置；

形成电阻层，覆盖所述第一介质层以及其开口的侧壁和底部，图形化所述电阻层形成电阻式压力传感器的电阻线；

在所述第二电极上形成开口，通过第二电极上的开口去除图形化后的牺牲层，在第一电极和第二电极之间形成空腔；

形成第二介质层，覆盖所述电阻线，图形化所述第二介质层，在第二介质层中形成开口，定义出压力感应区的位置。

10.如权利要求9所述的形成复合式压力传感器的方法，其特征在于，所述电阻层的材料为钛，所述第二电极的材料为锗硅。