[发明专利]CMOS的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS的制造方法，包括：

提供预定义有NMOS区域及PMOS区域的衬底，并在NMOS区域及PMOS区域之间形成隔离结构；

在所述衬底上依次形成氧化层、多晶硅层和硬掩膜层，图案化所述硬掩膜层并对所述多晶硅层及氧化层进行刻蚀，以分别形成NMOS及PMOS的栅极结构；

形成覆盖PMOS栅极结构和PMOS栅极结构上硬掩膜层的阻挡层，暴露NMOS栅极结构及NMOS栅极结构上的硬掩膜层，并刻蚀去除所述NMOS栅极结构上的硬掩膜层；

去除所述阻挡层，并形成覆盖所述NMOS栅极结构表面、PMOS栅极结构表面、PMOS栅极结构上的硬掩膜层表面的绝缘层；

干法刻蚀所述绝缘层，以在所述NMOS栅极结构两侧形成第一侧壁，在所述PMOS栅极结构及PMOS栅极结构上的硬掩膜层两侧形成第二侧壁，其中，所述第一侧壁的高度低于所述NMOS栅极结构高度，所述第二侧壁的高度高于所述PMOS栅极结构的高度；

刻蚀去除所述PMOS栅极结构上的硬掩膜层；

以所述NMOS栅极结构、第一侧壁、PMOS栅极结构和第二侧壁作为阻挡，对所述衬底进行离子注入以形成NMOS和PMOS的源/漏极区；

沉积金属层，以覆盖所述衬底表面、NMOS栅极结构表面、第一侧壁表面、PMOS栅极结构表面和第二侧壁表面，并退火以形成金属硅化物；

刻蚀去除剩余的所述金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为光刻胶，其中，形成覆盖PMOS栅极结构和PMOS栅极结构上硬掩膜层的阻挡层，暴露NMOS栅极结构及NMOS栅极结构上的硬掩膜层的步骤包括：

在所述衬底表面、NMOS栅极结构及NMOS栅极结构上的硬掩膜层表面、PMOS栅极结构和PMOS栅极结构上的硬掩膜层表面涂覆光刻胶；

图案化所述光刻胶，以暴露NMOS栅极结构及NMOS栅极结构上的硬掩膜层；

去除所述阻挡层的步骤包括灰化去除覆盖PMOS栅极结构和PMOS栅极结构上硬掩膜层的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层和绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、无定形碳其中的一种或多种组合的堆叠。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜的厚度为100至1000埃。