[发明专利]采用脉冲电磁场制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法

权利要求书

1.一种采用脉冲电磁场技术制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法，其特征是：

1.1、将FTO导电玻璃片放入温度为75~85℃的超声波清洗器中清洗4~6min后，取出用去离子水漂洗，在真空干燥箱中干燥4~6h；

1.2、用乙二醇甲醚作为溶剂将乙酸锌、乙醇胺配制混合溶液I，其中，乙酸锌与乙醇胺、乙二醇甲醚的体积比分别为1：1~1：1.5、1：7.5~1：8；

1.3、将配制的混合溶液I滴到导电玻璃片上并涂覆均匀进行镀膜，所述的混合溶液滴加量与导电玻璃片面积的关系为0.25～1ml/100mm²，将涂覆有混合溶液的FTO导电玻璃片置于管式加热炉中，加热到300~340℃，保温15~20min，冷却至室温；

1.4、重复第三步3~5次，在FTO导电玻璃片上即得到ZnO薄膜；

1.5、将硝酸铝、硝酸锌和六次甲基四胺加入去离子水中配制浓度为0.04~0.05mol/L的混合溶液II，其中，硝酸铝与硝酸锌、六次甲基四胺的摩尔比分别为1：32～1：99、1：33～1：100，将涂覆ZnO薄膜的FTO导电玻璃片放入反应釜内，将配制的混合溶液II注入反应釜中，注入量为反应釜容积的60%～70%；

1.6、用脉冲电磁场装置对反应釜中的反应体系施加脉冲电磁场处理，脉冲时间为1~3min，脉冲电压为600~700V，脉冲频率为6~9Hz，处理后将反应釜移入恒温箱进行水热合成反应，温度为95~100℃，时间为5~6h，降温至室温后取出FTO导电玻璃片，用去离子水冲洗掉玻璃表面的白色沉淀物，放入恒温干燥箱中80~90℃保温3-5h，即得Al掺杂ZnO纳米片阵列。

2.根据权利要求1所述的采用脉冲电磁场技术制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法，其特征是：所述硝酸铝与硝酸锌、六次甲基四胺的摩尔比分别为1：32～1：49、1：33～1：50。

3.根据权利要求1所述的采用脉冲电磁场技术制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法，其特征是：混合溶液II注入反应釜时，用玻璃棒引流。

4.根据权利要求1所述的采用脉冲电磁场技术制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法，其特征是：所述反应釜内胆材料为聚四氟乙烯，外胆材料为不锈钢，电磁线圈缠绕在反应釜内胆上。

5.根据权利要求1所述的采用脉冲电磁场技术制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法，其特征是：脉冲电磁场处理时，脉冲时间为2min，脉冲电压为650V，脉冲频率为7Hz。