[发明专利]具有增强击穿电压的肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包含：

一个或多个p型主体区域，操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径；以及

一个或多个场-平板结构，操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，还包含：

一硅衬底；以及

一p型外延层于该硅衬底内的一第一深度处。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，还包含一个或多个该高电压n型区域注入于该硅衬底内的该p型外延层之上，其中每一个该高电压n型区域包括该肖特基二极管的一阴极。

4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，还包含一个n型阱区，注入于该一个或多个该高电压n型区域的每一个中的该p型外延层之上，该n型阱区包括该肖特基二极管的阳极。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，还包含氧化层区域形成于该衬底的一部分之上。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，还包含场氧化隔离区域形成于该高电压n型区域与该n型阱区的一部分之上。

7.根据权利要求6所述的肖特基二极管，还包含一栅极热氧化层区域形成于该衬底的一部分之上。

8.根据权利要求7所述的肖特基二极管，还包含一个或多个多晶硅场平板至少部分地形成于该一个或多个场氧化隔离区域、该一个或多个高电压n型区域及该衬底之上，其中该多晶硅场平板包括在操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配的该一个或多个场-平板结构。

9.根据权利要求8所述的肖特基二极管，还包含一个或多个p型阱区，注入形成于至少两个该高电压n阱区域之间的该衬底内，其中该p型阱区包含在操作上可以夹住在该高电压n型区域中的电流路径的该p型主体区域。

10.根据权利要求9所述的肖特基二极管，还包含：

一n-p区域，注入于每一个该n阱区域内，以形成与该肖特基二极管的该阴极的欧姆接触；

一p-p区域，注入于每一个该p型主体区域内，以形成与该肖特基二极管的该p型主体区域的欧姆接触；

一介电层，形成于该衬底之上；以及

金属结构，形成于该介电层之上以提供该肖特基二极管的连接路径。

11.根据权利要求10所述的肖特基二极管，还包含一低端金属氧化物半导体场效晶体管结构。

12.根据权利要求11所述的肖特基二极管，其中该肖特基二极管的一阴极包含该低端金属氧化物半导体场效晶体管结构的一漏极，且其中一场平板结构包含该低端金属氧化物半导体场效晶体管结构的一栅极，且其中在操作上可以夹住在该高电压n型区域中的电流路径的该p型主体区域包含该低端金属氧化物半导体场效晶体管结构的一夹住区域。

13.一种制造一肖特基二极管的方法，该肖特基二极管具有一个或多个p型主体区域，操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径，以及一个或多个场-平板结构，操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配，该方法包含：

提供一硅衬底；以及

形成一p型外延层于该硅衬底内的一第一深度处。

14.根据权利要求13所述的方法，还包含：

图案化一高电压n型区域的一光刻胶层；

注入一个或多个该高电压n型区域于该硅衬底内的该p型外延层之上，其中每一个该高电压n型区域包括该肖特基二极管的一阴极；

图案化一n型阱区的一光刻胶层；

注入一个n型阱区于该一个或多个该高电压n型区域的每一个中的该p型外延层之上，该n型阱区包括该肖特基二极管的阳极。

15.根据权利要求14所述的方法，还包含：

形成一氧化层区域于该衬底的一部分之上；

形成场氧化隔离区域于该高电压n型区域与该n型阱区的一部分之上；以及

形成一栅极热氧化层于该衬底之上。

16.根据权利要求15所述的方法，还包含部分移除该栅极热氧化层，以形成栅极热氧化层区域于该衬底的一部分之上。