[发明专利]倍频晶体加热装置及其方法在审
申请号: | 201210173182.3 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102694336A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 陆高银;杨智勇 | 申请(专利权)人: | 上海奥通激光技术有限公司 |
主分类号: | H01S3/00 | 分类号: | H01S3/00;H01S3/02 |
代理公司: | 上海宝鼎专利代理有限公司 31222 | 代理人: | 龚峥嵘 |
地址: | 200240 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倍频 晶体 加热 装置 及其 方法 | ||
1.一种倍频晶体加热装置,倍频晶体固定在隔热架上,在所述的隔热架和倍频晶体之间在倍频晶体表面设置有温度传感器,其特征在于:所述的加热装置设置有脉冲光发生器和控制器,所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度、并且控制所述脉冲光发生器发生加热脉冲光,所述的脉冲光发生器发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体。
2.权利要求1所述的加热装置的倍频晶体加热方法,其特征在于:所述的脉冲光发生器发射的脉冲光穿透所述的倍频晶体、给倍频晶体加热,所述的温度传感器探测倍频晶体的温度,所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度,当倍频晶体温度高于设定值时所述控制器向所述脉冲光发生器发出停止脉冲光发生的指令,当倍频晶体温度低于设定值时所述控制器向所述脉冲光发生器发出脉冲光发生指令,对倍频晶体进行加热,保证倍频晶体在设定的温度下通过工作激光。
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