[发明专利]LED控制器及其方法

权利要求书

1.一种形成LED控制器的方法，其包括：

配置纵向N-沟道晶体管，以在所述纵向N-沟道晶体管的漏极上接收电源电压，并通过所述纵向N-沟道晶体管的源极向LED提供负载电流，其中，所述纵向N-沟道晶体管的栅极接收控制电压，所述控制电压在所述纵向N-沟道晶体管的工作特性的饱和区中操作所述纵向N-沟道晶体管；以及

配置控制电路以形成所述控制电压而不使用电荷泵电路。

2.根据权利1所述的方法，其中，所述配置控制电路以形成所述控制电压而不使用电荷泵电路的步骤包括：配置串联的多个晶体管，耦接所述多个晶体管中的一个晶体管以接收表示所述负载电流和所述负载电流的期望值之间的差异的线性误差信号，以及配置所述多个晶体管中的第二晶体管以接收第一偏置电压并在所述第二晶体管的工作特性的线性范围内工作。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述配置所述多个晶体管中的第二晶体管以接收所述第一偏置电压的步骤包括：配置所述第二晶体管以接收实质上固定的第一偏置电压，所述第一偏置电压具有小于所述控制电压的最大值的值。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括配置所述多个晶体管中的第三晶体管以接收小于所述第一偏置电压的第二偏置电压。

5.一种形成LED控制器的方法，其包括：

在半导体基片上形成纵向N-沟道晶体管；

耦接所述纵向N-沟道晶体管以接收输入电压并形成用于LED的负载电流；以及

配置控制电路以在饱和状态中操作所述纵向N-沟道晶体管，从而控制所述负载电流的值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述配置所述控制电路以在饱和状态中操作所述纵向N-沟道晶体管的步骤包括：串联地耦接多个晶体管，其中，所述多个晶体管中的第一晶体管响应于表示所述负载电流和所述负载电流的期望值之间的差异的误差信号而工作，并且所述多个晶体管的每个其他晶体管降低施加给所述纵向N-沟道晶体管的栅极的的电压一部分。