[发明专利]半导体盲孔的检测方法

权利要求书

1.一种半导体盲孔的检测方法，其特征在于，包括：

提供一包括导电区的半导体衬底；

形成多个暴露出所述导电区的盲孔;

于至少一所述多个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其特征在于所述阻档层的电阻率大于所述导电区的电阻率，且所述阻档层和所述半导体衬底间不是欧姆接触;及

在形成所述各个阻档层后，利用带电射线照射所述多个盲孔。

2.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述阻档层是一绝缘层。

3.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述各个盲孔内没有填满导电材料。

4.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，在利用所述带电射线照射所述多个盲孔后，还包括下列步骤之一：

检测所述各个盲孔产生的二次电子强度；及

检测所述各个盲孔的电位。

5.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述各个盲孔具有不同深度。

6.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述多个盲孔的深度均大于80微米。

7.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述带电射线包含电子束或离子束。