[发明专利]一种尖鳞环锈伞新菌株及其子实体栽培方法有效
| 申请号： | 201210174342.6 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102668993A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王守现;刘宇;许峰;王兰青;赵爽;耿小丽;孟莉莉 | 申请（专利权）人： | 北京市农林科学院 |
| 主分类号： | A01H15/00 | 分类号： | A01H15/00;A01G1/04;C05G3/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;任凤华 |
| 地址： | 100097 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尖鳞环锈伞新 菌株 及其 实体 栽培 方法 | ||
1.尖鳞环锈伞（Pholiota squarrosoides）HS4，它在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心的保藏编号为CGMCC No.6062。
2.权利要求1所述尖鳞环锈伞（Pholiota squarrosoides）HS4CGMCC No.6062在作为亲本进行杂交育种中的应用。
3.栽培权利要求1所述尖鳞环锈伞（Pholiota squarrosoides）HS4CGMCC No.6062得到的子实体。
4.培养权利要求1所述尖鳞环锈伞（Pholiota squarrosoides）HS4CGMCC No.6062得到的菌丝体。
5.权利要求3所述子实体的栽培方法，包括如下步骤：
（1）接种及发菌：将权利要求1所述尖鳞环锈伞（Pholiota squarrosoides）HS4CGMCC No.6062的栽培种接入栽培培养基，在环境温度为23℃-25℃，空气相对湿度为50%-60%，避光条件下进行培养，至菌丝长满培养基；
（2）低温刺激：待菌丝长满培养基后，转移至-5℃-5℃条件下处理3-5d；
（3）出菇：转移至环境温度为15℃-20℃，空气相对湿度80%-90%，光照300-600Lux，二氧化碳浓度在2000-2300ppm之间的条件下培养得到子实体。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述栽培培养基由棉籽壳、木屑、麦麸、玉米粉、石膏、石灰和水混合而成；其中，所述棉籽壳、所述木屑、所述麦麸、所述玉米粉、所述石膏和所述石灰的质量百分配比为60%：18%：15%：5%：1%：1%；所述水在所述栽培培养基中的质量百分含量为60%-65%。
7.权利要求3所述子实体在食品加工中的应用。
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