[发明专利]高压P型LDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种高压P型LDMOS器件，在元胞区内P型衬底上具有第一N型阱、第二N型阱、P型阱以及位于硅表面的栅氧化层及多晶硅栅极，其特征在于：

所述第一N型阱深度大于第二N型阱及P型阱，将第二N型阱及P型阱包含容纳，第二N型阱及P型阱在第一N型阱中水平排布互相抵靠；

所述第二N型阱中，包含有重掺杂N型区、浅槽隔离结构及源区，浅槽隔离结构位于重掺杂N型区和源区之间，重掺杂N型区将所述第二N型阱引出；

所述P型阱，包含住漏区及一浅槽隔离结构，浅槽隔离结构位于漏区靠近沟道一侧，所述P型阱的靠近沟道的边界与第二N型阱靠近沟道的边界抵靠在栅氧化层下的第一N阱中；

栅氧化层，淀积在源区与漏区之间的硅片表面上，其一侧延伸至源区靠近沟道的一侧界面处，其另一端延伸至漏区沟道一侧的浅槽隔离结构的上方；

多晶硅栅极，淀积覆盖在所述栅氧化层上。

2.如权利要求1所述的高压P型LDMOS器件，其特征在于：所述的P型阱在漏区左侧的浅槽隔离结构之下呈现台阶状，即靠近沟道区的P型阱的结深小于漏区之下的P型阱，且靠近沟道区的P型阱的掺杂浓度也小于漏区之下的P型阱。

3.如权利要求1所述的高压P型LDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下步骤：

步骤1，浅槽隔离结构刻蚀之前，进行漏扩展区的P型阱注入，通过注入能量微调，使垂直方向的掺杂浓度峰值位于和浅槽隔离结构刻蚀深度相近的0.3～0.5μm的深度范围内；

步骤2，进行浅槽隔离结构刻蚀，刻蚀区域的掺杂硅被去除，浅槽隔离结构下方的P型阱杂质浓度降低；

步骤3，采用热推进工艺，在器件漏扩展区的浅槽隔离结构下形成台阶状的P型阱。