[发明专利]相变存储器、其底部接触结构及其各自制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器底部接触结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成有包埋在第一介电层中的导电插塞；

在所述导电插塞、及第一介电层上至少形成第二介电层；

利用光刻、刻蚀在所述第二介电层内形成暴露部分所述导电插塞的沟槽；

在所述第二介电层、沟槽内淀积导电层；

在所述导电层上淀积第三介电层；

在所述第三介电层上形成第一底部抗反射层，所述第一底部抗反射层充满所述沟槽；

利用光刻工艺在所述沟槽外定义出垂直沟槽的条状区域，所述条状区域对应所述导电插塞，刻蚀去除该条状区域之外区域的部分高度的所述第一底部抗反射层，所述部分高度至少使得所述沟槽内剩余的所述第一底部抗反射层的高度不低于沟槽外的第三介电层的高度；

利用各向同性干法刻蚀工艺在所述条状区域表面及剩余高度的第一底部抗反射层上形成刻蚀副产物层；

利用各向异性干法刻蚀工艺去除条状区域侧壁之外区域的所述刻蚀副产物层；

去除所述条状区域之外区域的剩余高度的所述第一底部抗反射层、所述第三介电层及所述导电层；

在所述沟槽内填充第四介电层，并CMP去除沟槽外的第四介电层及导电层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有有源区，所述有源区与所述导电插塞电连接。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介电层、第二介电层、第三介电层与第四介电层的材质均相同。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用光刻工艺在所述沟槽外定义出垂直沟槽的条状区域前，所述第一底部抗反射层上还形成有第五介电层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第五介电层的材质为低温氧化物。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用光刻工艺在所述沟槽外定义出垂直沟槽的条状区域前，所述第一底部抗反射层上自下而上还形成有第五介电层、第二底部抗反射层。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用各向同性干法刻蚀工艺在所述条状区域表面及剩余高度的第一底部抗反射层上形成刻蚀副产物层是通过在干法刻蚀过程中不施加偏压实现的。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀采用的主刻蚀气体为CH₂F₂、CH₃F、C₄F₈中的至少一种，辅刻蚀气体为HBr。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀采用的主刻蚀气体为：O₂，辅刻蚀气体为HBr与Ar。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蚀去除该条状区域之外区域的部分高度的所述第一底部抗反射层至剩余的所述第一底部抗反射层与沟槽外的所述第三介电层齐平。

11.一种根据上述权利要求1至10中任意一项制作方法形成的相变存储器底部接触结构。

12.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

根据权利要求1-10任意一项所述的制作方法制作底部接触结构；淀积相变材料层；

在所述相变材料层上形成顶部接触结构。

13.一种根据权利要求12所述制作方法形成的相变存储器。