[发明专利]超级结制作方法无效
| 申请号： | 201210174799.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103050408A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超级结制作方法，其特征在于：在深沟槽内填充P型单晶硅且形成P型柱之后，利用定义所述深沟槽的光罩层定义出离子注入区域，然后注入P型离子。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述注入P型离子的能量为50-100Kev，注入剂量为1-5E12。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述P型柱采用选择性外延沉积的方式在所述深沟槽中填充P型单晶硅形成，然后用化学机械研磨CMP方法将其表面磨平。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述深沟槽是通过一层光罩层定义出深沟槽的图案，采用干法刻蚀形成的。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述干法刻蚀深沟槽时可以采用氧化物层作为硬光罩层，首先刻蚀硬光罩层，然后再刻蚀深沟槽；或者不用硬光罩层，直接刻蚀形成深沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
