[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：

N型氮化物半导体层；

P型氮化物半导体层；

发光半导体层，配置于该N型氮化物半导体层与该P型氮化物半导体层之间；

第一金属垫，与该N型氮化物半导体层电性连接；

第二金属垫，与该P型氮化物半导体层电性连接；以及

第一磁性材料层，配置于该第一金属垫与该N型氮化物半导体层之间，其中该第一磁性材料层平行于该N型氮化物半导体层的(0001)面的分布面积大于或等于该第一金属垫平行于该(0001)面的面积。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，该第一磁性材料层的材料包括掺杂磁性元素的化合物，该磁性元素包括过渡金属、稀土金属或其组合，而该化合物包括CuAlO2、CuGaO2、AgInO2、SrCu2O2、Cd2SnO4、In2O3、TiO2、Cu2O、ZnO、SnO2、CdO、ZnO、MnSe、ZnSe、CdSe、MgSe、ZnTe、MnTe、MgTe、CdTe、CdS、ZnS、HgS、HgSe、HdTe、NiO、MnO、GaN、InN、AlN、InAs、GaAs、AlAs、GaP、InP、GaSb、AlSb、InSb、Si、Ge、SiGe、SiC、石墨烯、纳米碳管、巴克球、Bi2Te3、Bi2Se3、Sb2Te3、Sb2Se3、钇钡铜氧化物（YBCO）、铋锶钙铜氧化物（BSCOO）、HgBaCaCuO  （HBCCO）、FeAs、SmFeAs、CeFeAs、LaFeAs、MgB或其组合。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，该第一磁性材料层的材料包括Co、Fe、Ni、Mn、NiFe、CoFe、CoFeB、SmCo、NdFeB、式ΩFeN、式ΩFeC、CrO2、Fe3O4、式La1-xΦxMn、式Ψ2ΔΣO6、GdN、NiMnSb、PtMnSb、Fe 1-xCoxSi、Fe2CrSi、Co2MnSi、式Fe2ΘSi、Cr2O3、TbMnO3、HoMn2O5、HoLuMnO3、YMnO3、DyMnO3、LuFe2O4、BiFeO3、BiMnO3、BaTiO3、PbVO3、PrMnO3、CaMnO3、K2SeO4、Cs2Cdl4、BaNiF4、ZnCr2Se4或其组合，其中该Ω在式ΩFeN及式ΩFeC中代表Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Yb，该Φ在式La1-xΦxMn中代表Ca、Ba或Sr，x在式La1-xΦxMn中大约为0.3，该Ψ在式Ψ2ΔΣO6中代表Ca、Sr、或B，该Δ在式Ψ2ΔΣO6中代表Co或Fe，该Σ在式Ψ2ΔΣO6中代表Mo或Re，该Θ在式Fe2ΘSi中代表Cr、Mn、Fe、Co或Ni，而x在Fe1-xCoxSi中大于0且小于1。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，该第一磁性材料层在与该(0001)面垂直的方向上的厚度的范围为20纳米（nm）至1微米（μm）。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，该第一磁性材料层的材料包括掺杂Co的ZnO、掺杂Mn的ZnO或其组合。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，该第一磁性材料层平行于该N型氮化物半导体层的该(0001)面的分布面积大于或等于该第二金属垫平行于该(0001)面的面积。

7.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，更包括第二磁性材料层，其配置于该第二金属垫与该P型氮化物半导体层之间，其中该第二磁性材料层平行于该N型氮化物半导体层的该(0001)面的分布面积大于或等于该第二金属垫平行于该(0001)面的面积。

8.如权利要求7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，该第二磁性材料层在垂直于该(0001)面的方向上的厚度的范围为20纳米（nm）至0.6微米（μm）。