[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具有：

生长用基板、

形成于所述生长用基板上的n型氮化物半导体层、

形成于所述n型氮化物半导体层上的发光层、

形成于所述发光层上的p型氮化物半导体层，

所述氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm²以下，该管孔从所述n型氮化物半导体层的位于所述发光层侧的表面朝向所述基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述n型氮化物半导体层与所述发光层之间还含有n型超晶格层，

所述n型超晶格层包含一层以上的n型杂质浓度为2×10¹⁷cm^-3以上的层。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述n型氮化物半导体层由第一n型GaN层及第二n型GaN层构成，

所述第二n型GaN层包括n型杂质浓度低的低掺杂层、n型杂质浓度高的高掺杂层，

所述低掺杂层的n型杂质浓度低于所述第一n型GaN层的n型杂质浓度。

4.如权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述高掺杂层的n型杂质浓度高于所述第一n型GaN层的n型杂质浓度。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述生长用基板是在表面形成有氮化物半导体层的基板，或者是氮化物半导体基板。

6.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：

在生长用基板上形成第一n型GaN层的步骤；

在所述第一n型GaN层上形成第二n型GaN层的步骤；

在所述第二n型GaN层上形成发光层的步骤；

在所述发光层上形成p型氮化物半导体层的步骤；

形成所述第二n型GaN层的步骤中的Ⅴ族原料的导入量相对于Ⅲ族原料的导入量的摩尔流量比（Ⅴ/Ⅲ）低于形成所述第一n型GaN层的步骤中的Ⅴ族原料的导入量相对于Ⅲ族原料的导入量的摩尔流量比（Ⅴ/Ⅲ）。

7.如权利要求6所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二n型GaN层的步骤中，Ⅴ族原料的导入量相对于Ⅲ族原料的导入量的摩尔流量比（Ⅴ/Ⅲ）为300以下。

8.如权利要求6所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一n型GaN层的步骤中，Ⅴ族原料的导入量相对于Ⅲ族原料的导入量的摩尔流量比（Ⅴ/Ⅲ）为300以上。

9.如权利要求6所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二n型GaN层的步骤后，包括在所述第二n型GaN层上形成n型超晶格层的步骤。

10.如权利要求6所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一n型GaN层的步骤前，包括使所述生长用基板升温的步骤，

在使所述生长用基板升温的步骤中，V族原料的流量与形成所述第一n型GaN层的步骤中的V族原料的流量相同。

11.如权利要求6所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一n型GaN层的步骤及形成所述第二n型GaN层的步骤中，在10cm/秒以上、300cm/秒以下的流速下导入气体。

12.如权利要求6所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二n型GaN层的步骤中，在900℃以上的生长温度下，形成所述第二n型GaN层。