[发明专利]一种高稳态多端口PUF电路

权利要求书

1.一种高稳态多端口PUF电路，其特征在于包括译码电路模块、PUF电路单元阵列、灵敏放大器、选择器、锁存器、时序控制电路模块和FIFO输出电路单元，所述的译码电路模块与所述的PUF电路单元阵列连接，所述的PUF电路单元阵列与所述的灵敏放大器连接，所述的灵敏放大器与所述的选择器连接，所述的选择器与所述的锁存器连接，所述的锁存器与所述的FIFO输出电路单元连接，所述的时序控制电路模块分别与所述的译码电路模块、所述的PUF电路单元阵列、所述的灵敏放大器、所述的选择器和所述的锁存器连接，所述的PUF电路单元阵列包括至少两个PUF电路单元。

2.根据权利要求1所述的一种高稳态多端口PUF电路，其特征在于所述的PUF电路单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第一交叉耦合反相器、第二交叉耦合反相器、第一隔离反相器和第二隔离反相器，所述的第一NMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的栅极连接，所述的第三NMOS管的栅极和所述的第四NMOS管的栅极连接，所述的第五NMOS管的栅极和所述的第六NMOS管的栅极连接，所述的第七NMOS管的栅极和所述的第八NMOS管的栅极连接，所述的第九NMOS管的栅极和所述的第十NMOS管的栅极连接，所述的第十一NMOS管的栅极和所述的第十二NMOS管的栅极连接，所述的第一NMOS管的源极、所述的第三NMOS管的源极、所述的第一交叉耦合反相器的输入端、所述的第二交叉耦合反相器的输出端和所述的第一隔离反相器的输入端并接，所述的第二NMOS管的源极、所述的第四NMOS管的源极、所述的第一交叉耦合反相器的输出端、所述的第二交叉耦合反相器的输入端和所述的第二隔离反相器的输入端并接，所述的第五NMOS管的源极、所述的第七NMOS管的源极、所述的第九NMOS管的源极、所述的第十一NMOS管的源极和所述的第一隔离反相器的输出端并接，所述的第六NMOS管的源极、所述的第八NMOS管的源极、所述的第十NMOS管的源极、所述的第十二NMOS管的源极和所述的第二隔离反相器的输出端并接。

3.根据权利要求2所述的一种高稳态多端口PUF电路，其特征在于所述的第一隔离反相器由第一PMOS管和第十三NMOS管组成，所述的第一PMOS管的漏极连接电源端，所述的第十三NMOS管的源极连接接地端，所述的第一PMOS管的源极和所述的第十三NMOS管的漏极并接且其公共连接端为所述的第一隔离反相器的输出端，所述的第一PMOS管的栅极和所述的第十三NMOS管的栅极并接且其公共连接端为所述的第一隔离反相器的输入端，所述的第二隔离反相器的电路结构与所述的第一隔离反相器的电路结构相同。

4.根据权利要求2所述的一种高稳态多端口PUF电路，其特征在于所述的第一隔离反相器由第十四NMOS管组成，所述的第十四NMOS管为隔离型的NMOS管，所述的第十四NMOS管的栅极为所述的第一隔离反相器的输入端，所述的第十四NMOS管的漏极为所述的第一隔离反相器的输出端，所述的第十四NMOS管的源极接地，所述的第二隔离反相器的电路结构与所述的第一隔离反相器的电路结构相同。

5.根据权利要求1所述的一种高稳态多端口PUF电路，其特征在于所述的译码电路模块包括一级译码电路单元和二级译码电路单元，所述的一级译码电路单元包括第一触发器、第二触发器、第三触发器、第一译码器、第二译码器和第三译码器，所述的第一触发器与所述的第一译码器连接，所述的第二触发器与所述的第二译码器连接，所述的第三触发器与所述的第三译码器连接，所述的二级译码电路单元包括三输入与门和负载驱动模块，所述的第一译码器、所述的第二译码器和所述的第三译码器分别连接所述的三输入与门的三个输入端，所述的三输入与门的输出端与所述的负载驱动模块连接。

6.根据权利要求5所述的一种高稳态多端口PUF电路，其特征在于所述的第一触发器、所述的第二触发器和所述的第三触发器均为D触发器，所述的第一译码器和所述的第二译码器均为2-4译码器，所述的第三译码器为1-2译码器。