[发明专利]基于碲化镉的薄膜光伏器件的多层N型堆栈及其制造方法有效
| 申请号： | 201210175095.1 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810593A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | S.D.费尔德曼-皮博迪;R.D.戈斯曼 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/073 | 分类号： | H01L31/073;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 碲化镉 薄膜 器件 多层 堆栈 及其 制造 方法 | ||
1. 一种薄膜光伏器件(10)，包括：
玻璃(12)；
所述玻璃(12)上的透明传导氧化层(14)；
所述透明传导氧化层(14)上的多层n型堆栈(16)，其中所述多层n型堆栈(16)包括第一层(17)和第二层(18)，所述第一层(17)包含镉和硫，而所述第二层(18)包含镉和氧；以及
所述多层n型堆栈(16)上的吸收器层(20)。
2. 如权利要求1所述的器件，其中，所述吸收器层(20)包含碲化镉。
3. 如权利要求1所述的器件，其中，所述第一层(17)包含硫化镉。
4. 如权利要求1所述的器件，其中，所述第二层(18)包含氧化镉。
5. 如权利要求1所述的器件，其中，所述第二层(18)还包含硫。
6. 如权利要求5所述的器件，其中，所述第二层(18)包含CdSOx，其中x为3或4。
7. 如权利要求1所述的器件，其中，所述多层n型堆栈(16)还包括第三层(19)，所述第三层(19)包含镉。
8. 如权利要求7所述的器件，其中，所述第三层(19)还包括氧。
9. 如权利要求7所述的器件，其中，所述第三层(19)还包括硫。
10. 如权利要求7所述的器件，其中，所述第三层(19)包含硫化镉、氧化镉、亚硫酸镉或硫酸镉中的至少两种。
11. 如权利要求7所述的器件，其中，所述第三层(19)设在所述第一层(17)与所述第二层(18)之间。
12. 如权利要求1所述的器件，还包括：
电阻透明缓冲层(15)，其位于所述透明传导氧化层(14)和所述多层n型堆栈(16)之间。
13. 如权利要求1所述的器件，其中，所述多层n型堆栈(16)具有的厚度在约10 nm与约100 nm之间。
14. 一种形成薄膜光伏器件(10)的方法，所述方法包括：
将第一层(17)沉积在透明传导氧化层(14)上，其中所述透明传导氧化层(14)在玻璃基板(12)上，以及其中所述第一层(17)包含镉和硫；
将第二层(18)沉积在所述透明传导氧化层(14)上，其中所述第二层(18)包含镉和氧，以及其中所述第一层(17)和所述第二层(18)形成多层n型堆栈(16)；以及
将碲化镉层(20)沉积在所述多层n型堆栈(16)上。
15. 如权利要求14所述的方法，还包括：
将第三层(19)沉积在所述透明传导氧化层(14)上，其中所述第三层(19)包括镉，并且其中所述第一层(17)、所述第二层(18)、以及所述第三层(19)形成多层n型堆栈(16)。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
