[发明专利]加热装置、涂敷装置及加热方法在审
申请号: | 201210175124.4 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102810498A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 宫本英典;佐保田勉 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;B05C9/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及加热装置、涂敷装置及加热方法。
本申请基于2011年6月2日在美国申请的临时专利申请第61/492627号而主张优先权,并将其内容引用于此。
背景技术
使用半导体材料的CIGS型太阳能电池或CZTS型太阳能电池作为具有高变换效率的太阳能电池而受到注目,所述半导体材料包含Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及它们的组合等金属和S、Se、Te及它们的组合等硫族元素(例如参照专利文献1~专利文献3)。
CIGS型太阳能电池例如使用由上述Cu、In、Ga、Se这四种半导体材料构成的膜来作为光吸收层(光电变换层)。另外,CZTS型太阳能电池例如使用由Cu、Zn、Sn、Se这四种半导体材料构成的膜来作为光吸收层(光电变换层)。作为这样的太阳能电池的结构,例如公知有如下的结构:在由玻璃等构成的基板上设置由钼等构成的背面电极,并在该背面电极上配置上述光吸收层。
CIGS型太阳能电池或CZTS型太阳能电池与现有型的太阳能电池相比,能够减薄光吸收层的厚度,因此容易向曲面上设置或搬运。因此,被期待作为高性能的柔性太阳能电池而应用于广泛的领域。作为形成光吸收层的方法,以往例如公知有使用蒸镀法或溅射法等来形成的方法(例如,参照专利文献2~专利文献5)。
【专利文献1】日本特开平11-340482号公报
【专利文献2】日本特开2005-51224号公报
【专利文献3】日本特表2009-537997号公报
【专利文献4】日本特开平1-231313号公报
【专利文献5】日本特开平11-273783号公报
相对于此,本发明者提出将上述半导体材料以液状体涂敷在基板上的方法来作为形成光吸收层的方法。在通过液状体的涂敷来形成光吸收层的情况下,列举有以下的问题。
在涂敷了液状体后,进行加热涂敷膜的烧成工序。该烧成工序由于对涂敷膜的作为光吸收层的特性带来影响,因此需要在最适合的条件下进行加热。为了形成具有所期望的特性的涂敷膜,需要能够调整加热条件的结构。
发明内容
本发明鉴于上述的情况,其目的在于提供一种能够形成具有所期望的特性的涂敷膜的加热装置、涂敷装置及加热方法。
本发明的第一方式的加热装置具备:第一加热部及第二加热部,它们在涂敷膜的膜厚方向上夹着配置具有所述涂敷膜的基板的基板位置;距离调整部,其对所述基板位置与所述第一加热部的第一距离及所述基板位置与所述第二加热部的第二距离中的至少一方进行调整。
根据本发明,由于具备:第一加热部及第二加热部,它们在涂敷膜的膜厚方向上夹着配置具有涂敷膜的基板的基板位置;距离调整部,其对基板位置与第一加热部的第一距离及基板位置与第二加热部的第二距离中的至少一方进行调整,因此,通过调整基板位置与第一加热部及第二加热部的距离,能够调整对涂敷膜的加热条件。由此,能够形成具有所期望的特性的涂敷膜。
在上述的加热装置中,所述距离调整部具有使所述第一加热部及所述第二加热部中的至少一方在所述膜厚方向上移动的移动部。
根据本发明,由于能够使第一加热部及第二加热部中的至少一方在膜厚方向上移动,因此能够灵活地变更加热条件。
在上述的加热装置中,所述第一加热部及所述第二加热部在铅直方向上排列配置。
根据本发明,由于第一加热部及第二加热部在铅直方向上排列配置,因此容易将基板配置在第一加热部与第二加热部之间。
上述的加热装置还具备对在所述基板位置上配置的所述基板进行保持的基板保持部。
根据本发明,由于具备对在基板位置上配置的基板进行保持的基板保持部,因此能够在基板的位置或姿势稳定的状态下进行涂敷膜的加热。
在上述的加热装置中,所述第一加热部及所述第二加热部中的相对于所述基板位置配置于铅直方向的下侧的一方的加热部兼作所述基板保持部。
根据本发明,由于第一加热部及第二加热部中的相对于基板位置配置于铅直方向的下侧的一方的加热部兼作基板保持部,因此与另行配置基板保持部的情况相比,能够实现省空间化。
在上述的加热装置中,所述距离调整部对所述第一距离及所述第二距离中的至少一方进行调整,以使所述第一加热部及所述第二加热部中的相对于所述基板位置配置在铅直方向的上侧的另一方的加热部不与所述涂敷膜接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造