[发明专利]处理基材的设备和方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2011年5月31日提交的韩国专利申请No.10-2011-0052430和2011年8月19日提交的韩国专利申请No.10-2011-0082678的优先权，在此引入它们的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种处理基材的设备和方法，更具体而言，涉及一种具有簇结构的基材处理设备和使用它的基材处理方法。

背景技术

通过经由几种工艺来处理诸如硅晶片等基材并在经处理的基材上形成电路图案，从而制作半导体器件。

一般地，这种半导体器件通过以下过程制作：用于在基材上形成薄氧化物层的氧化过程、用于涂布光致抗蚀剂的光致抗蚀剂过程、用于将对应于电路图案的光照射到基材上的曝光过程、用于使照射光的层显影的显影过程、用于选择性地除去不必要的部分以形成电路图案的蚀刻处理、用于将杂质注入基材的与电路图案连接的部分中的注入过程、用于在基材的表面上沉积诸如气体等化学物质以形成绝缘层或导电层的化学气相沉积(CVD)过程以及用于将配线与形成在基材表面上的电路连接的金属化过程。上面各过程可以在腔室内进行。

近年来，由于半导体器件的小型化和高密度集成的增加，需要执行这些复杂压缩的各种腔室。根据这种趋势，要求半导体制作设备的腔室之间的布局能够改善半导体器件的吞吐量并且有效地进行半导体制作工艺。对于代表性的例子，具有簇结构的半导体制作设备披露在韩国注册专利No.10-0839911中。

发明内容

本发明提供一种能够改善半导体器件的吞吐量的基材处理设备和方法。

本发明还提供一种基材处理设备和方法，其中在固定空间内能够设置更大量的用于进行处理工艺的腔室。

本发明还提供一种能够减少基材的转移路线的基材处理设备和方法。

本发明构思的特征不限于上述内容，相反，本领域技术人员从这些描述中可以清楚地了解本文未描述的其他特征。

本发明的实施例提供处理基材的设备。

在一些实施例中，所述处理基材的设备可以包括：装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于处理所述基材的处理模块；和转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括：转移室，包括用于转移所述基材的机械手；设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；和用于进行第二处理工艺的第二处理室，它设置在所述转移室周围。

在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述转移室和所述转移模块之间。

在其他实施例中，第二处理室可以包括：壳体，具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；用于打开或关闭第二开口的第二门；用于使所述壳体的内部减压的减压件；设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。

在其他实施例中，第二处理室可以包括：壳体，具有面对所述转移室的侧面和另一挡住侧，在所述侧面中限定有第一开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。

在其他实施例中，第二处理室可以包括：用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。

在其他实施例中，所述装载锁闭室可以包括：用于提供缓冲空间的壳体，所述壳体具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；用于打开或关闭第二开口的第二门；和用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽。

在其他实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以彼此叠置。

在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述装载锁闭室下方。

在其他实施例中，其中第二处理室可以包括：壳体，它设置在所述装载锁闭室下方；等离子体源，它设置在所述装载锁闭室上方，用于产生等离子体；和供应管，它设置在所述装载锁闭室的外壁上，用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中。

在其他实施例中，所述处理模块可以包括多个第二处理室。

在其他实施例中，所述多个第二处理室中的每一个可以包括：壳体；用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。