[发明专利]滑动装置和采用该滑动装置的滑动系统无效
申请号: | 201210175177.6 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102808163A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 广濑正明;铃木义信;足立幸志 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/40;C23C16/42;C23C14/06;C23C14/08;F02F3/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滑动 装置 采用 系统 | ||
1.一种滑动装置,包括:
具有第一表面(11a)的第一基础构件(11);
具有第二表面(12a)的第二基础构件(12),所述第二表面(12a)与所述第一表面(11a)相对,所述第一基础构件(11)和所述第二基础构件(12)相对于彼此滑动;
设置在所述第一基础构件(11)的所述第一表面(11a)和所述第二基础构件(12)的所述第二表面(12a)中的至少一个表面上的硬碳膜(13);以及
设置在所述硬碳膜(13)与所述第一基础构件(11)的所述第一表面(11a)和所述第二基础构件(12)的所述第二表面(12a)中的所述一个表面之间的中间层(14),所述中间层(14)由含有硅和氧的化合物构成。
2.根据权利要求1所述的滑动装置,其中
所述硬碳膜(13)是在拉曼光谱中满足IG/ID≥1的关系的非晶碳膜,其中,IG是由石墨引起的G带的强度,ID是由金刚石引起的D带的强度。
3.根据权利要求1或2所述的滑动装置,其中
所述中间层(14)是在硅的能量损失近边结构谱中满足ISiO/ISiO2≥1的关系的非晶氧化硅膜,其中,ISiO是氧化硅引起的强度,ISiO2是二氧化硅引起的强度。
4.一种滑动系统,包括:
根据权利要求1或2中的任一项所述的滑动装置;
对所述滑动装置(10)进行加热的加热装置(20);以及
控制所述加热装置(20)执行温度改变操作的控制装置(30),在所述温度改变操作中,所述滑动装置(10)的加热温度增大到预定温度,并且从所述预定温度降低,从而在所述温度改变操作之后使加热温度保持在预定温度范围内。
5.根据权利要求4所述的滑动系统,其中,所述控制装置(30)控制所述加热装置(20)在开始所述滑动装置(10)的滑动操作的起动时刻至少一次执行所述温度改变操作。
6.根据权利要求4所述的滑动系统,其中,所述控制装置(30)控制所述加热装置(20)在所述滑动装置(10)处于运行当中的正常运行时间期间至少一次执行所述温度改变操作。
7.一种滑动系统,包括:
根据权利要求1或2中的任一项所述的滑动装置(10),所述滑动装置(10)被设置成邻近热源,以通过所述热源加热所述滑动装置(10);以及
温度控制部分(261),其控制所述热源执行温度改变操作,在所述温度改变操作中,所述滑动装置(10)的加热温度增大到预定温度,并且从所述预定温度降低,从而在所述温度改变操作之后使所述加热温度保持在预定温度范围内。
8.根据权利要求7所述的滑动系统,其中,所述温度改变部分(261)控制所述热源在开始所述滑动装置(10)的滑动操作的起动时刻至少一次执行所述温度改变操作。
9.根据权利要求7所述的滑动系统,其中,所述温度改变部分(261)控制所述热源在所述滑动装置(10)处于运行当中的正常运行时间期间至少一次执行所述温度改变操作。
10.一种滑动系统,包括:
包括第一基础构件(11)、第二基础构件(12)和硬碳膜(13A)的滑动装置(10A),所述第一基础构件(11)具有第一表面(11a),所述第二基础构件(12)具有与所述第一表面(11a)相对的第二表面(12a),所述第一基础构件(11)和所述第二基础构件(12)相对于彼此滑动,所述硬碳膜(13A)设置在所述第一基础构件(11)的所述第一表面(11a)和所述第二基础构件(12)的所述第二表面(12a)中的至少一个表面上;
对所述滑动装置(10A)进行加热的加热装置(20);以及
控制所述加热装置(20)执行温度改变操作的控制装置(30),在所述温度改变操作中,所述滑动装置(10A)的加热温度增大到预定温度,并且从所述预定温度降低,从而在所述温度改变操作之后使所述加热温度保持在预定温度范围内。
11.根据权利要求10所述的滑动系统,其中,所述控制装置(30)控制所述加热装置(20)在开始所述滑动装置(10A)的滑动操作的起动时刻至少一次执行所述温度改变操作。
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